[發(fā)明專利]巨型版圖拆分邊界二次曝光模擬及光學近鄰修正方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010213105.0
• 申請日: 2020-03-24
• 公開（公告）號: CN111240160B
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李葆軒;于世瑞
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.巨型版圖拆分邊界二次曝光模擬及光學近鄰修正方法，其特征在于，該方法至少包括以下步驟：

步驟一、提供多個掩膜版選項進行二次曝光的模型設(shè)置，其中每個所述掩膜版選項包含兩個掩膜版層以及背景層的選項，該兩個掩膜版層分別定義為版圖層和除了該版圖層以及背景層以外的區(qū)域；

步驟二、利用所述模型設(shè)置進行OPC腳本設(shè)置，其中將所述每個掩膜版選項與所述掩膜版選項中的掩膜版層選項以及背景層選項分別在所述OPC腳本中進行對應(yīng)指定；

步驟三、亞分辨輔助圖形優(yōu)化，其中將相鄰兩個所述掩膜版的交疊區(qū)域中的亞分辨輔助圖形退回至非交疊狀態(tài)；

步驟四、對所述每個掩膜版中的版圖層進行OPC預(yù)處理，其中設(shè)置彼此相鄰的兩個所述掩膜版中的版圖層相互交疊區(qū)域的寬度使得OPC修正后結(jié)果正常；

步驟五、將導致不收斂的所述掩膜版分段進行凍結(jié)，之后進行OPC修正；

步驟六、將彼此相互交疊的所述版圖層中的目標分段外移以防止二次曝光產(chǎn)生斷線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的巨型版圖拆分邊界二次曝光模擬及光學近鄰修正方法，其特征在于：步驟一中提供兩個所述掩膜版選項進行二次曝光的模型設(shè)置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的巨型版圖拆分邊界二次曝光模擬及光學近鄰修正方法，其特征在于：步驟一中所述每個掩膜版選項中的所述版圖層設(shè)置其透光率為6.3％，該掩膜版選項中的所述背景層設(shè)置為全透光；該掩膜版選項中除了所述版圖層以及背景層以外的區(qū)域設(shè)置為不透光。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的巨型版圖拆分邊界二次曝光模擬及光學近鄰修正方法，其特征在于：步驟二中在所述OPC腳本中進行對應(yīng)指定前將除了所述版圖層以及背景層以外的區(qū)域獨立生成區(qū)域版圖。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的巨型版圖拆分邊界二次曝光模擬及光學近鄰修正方法，其特征在于：步驟三中將所述相鄰兩個掩膜版的交疊區(qū)域中的亞分辨輔助圖形退回至非交疊狀態(tài)中的所述非交疊狀態(tài)包括：所述相鄰兩個掩膜版的邊界間隔為0～20nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的巨型版圖拆分邊界二次曝光模擬及光學近鄰修正方法，其特征在于：步驟四中設(shè)置彼此相鄰的兩個所述掩膜版中的版圖層相互交疊區(qū)域的寬度為50～100nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的巨型版圖拆分邊界二次曝光模擬及光學近鄰修正方法，其特征在于：步驟四中設(shè)置彼此相鄰的兩個所述掩膜版中的版圖層相互交疊區(qū)域的寬度為50nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的巨型版圖拆分邊界二次曝光模擬及光學近鄰修正方法，其特征在于：步驟四中使得OPC修正后結(jié)果正常的方法包括：避免因交疊區(qū)域太小產(chǎn)生光阻效應(yīng)以及避免因交疊區(qū)域太大產(chǎn)生遠小于建模尺寸的圖形。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的巨型版圖拆分邊界二次曝光模擬及光學近鄰修正方法，其特征在于：步驟五中將導致不收斂的所述掩膜版分段進行凍結(jié)之后、OPC修正前，將因為拆分版圖循環(huán)反饋參數(shù)計算方式變化的分段重新設(shè)置評價函數(shù)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的巨型版圖拆分邊界二次曝光模擬及光學近鄰修正方法，其特征在于：步驟六中二次曝光產(chǎn)生斷線的情況包括：多次對焦或掩膜版平移誤差造成的斷線。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的巨型版圖拆分邊界二次曝光模擬及光學近鄰修正方法，其特征在于：該方法為基于CIS工藝中的BSI平臺進行的方法。