[發明專利]一種通過雙重曝光形成雙大馬士革圖形的方法在審
| 申請號： | 202010212624.5 | 申請日： | 2020-03-24 |
| 公開（公告）號： | CN111312657A | 公開（公告）日： | 2020-06-19 |
| 發明（設計）人： | 官錫俊 | 申請（專利權）人： | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 通過 雙重 曝光 形成 大馬士革 圖形 方法 | ||
1.一種通過雙重曝光形成雙大馬士革圖形的方法，其特征在于，該方法至少包括以下步驟：
步驟一、提供設有層疊結構的晶圓，在所述晶圓的層疊結構上涂布第一光刻膠層；
步驟二、在所述第一光刻膠層上涂布隔離層；
步驟三、在所述隔離層上涂布第二光刻膠層；
步驟四、用溝槽圖形的掩模板對所述第二光刻膠層和所述隔離層進行曝光并顯影，形成溝槽圖形；
步驟五、用通孔圖形的掩模板對所述第一光刻膠層進行曝光并顯影，在所述溝槽圖形下層形成通孔圖形；
步驟六、按照所述溝槽圖形和所述通孔圖形同步刻蝕所述層疊結構得到雙大馬士革結構圖形。
2.根據權利要求1所述的通過雙重曝光形成雙大馬士革圖形的方法，其特征在于：步驟一中涂布所述第一光刻膠層后，將其烘烤成膜。
3.根據權利要求1所述的通過雙重曝光形成雙大馬士革圖形的方法，其特征在于：步驟二中的所述隔離層由溶于顯影液的抗反射涂層材料和溶于堿性的材料組成。
4.根據權利要求3所述的通過雙重曝光形成雙大馬士革圖形的方法，其特征在于：所述溶于堿性的材料為高Dill系數材料。
5.根據權利要求4所述的通過雙重曝光形成雙大馬士革圖形的方法，其特征在于：所述高Dill系數材料為非光敏材料且對光子有高吸收率。
6.根據權利要求1所述的通過雙重曝光形成雙大馬士革圖形的方法，其特征在于：步驟二中在所述第一光刻膠層上涂布隔離層后，通過高溫烘烤使所述隔離層發生交聯反應成膜覆蓋在所述第一光刻膠層表面。
7.根據權利要求1所述的通過雙重曝光形成雙大馬士革圖形的方法，其特征在于：步驟三中在所述隔離層上涂布第二光刻膠層后，將其烘烤成膜。
8.根據權利要求1所述的通過雙重曝光形成雙大馬士革圖形的方法，其特征在于：所述第一光刻膠層與所述第二光刻膠層為相同性質的光刻膠。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
