[發明專利]SiC MOSFET短路仿真模型的建立方法有效
| 申請號： | 202010212540.1 | 申請日： | 2020-03-24 |
| 公開（公告）號： | CN111460748B | 公開（公告）日： | 2022-08-02 |
| 發明（設計）人： | 李虹;王玉婷;蔣艷鋒;曾洋斌 | 申請（專利權）人： | 北京交通大學 |
| 主分類號： | G06F30/33 | 分類號： | G06F30/33 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 王艷斌 |
| 地址： | 100044*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | sic mosfet 短路 仿真 模型 建立 方法 | ||
1.一種SiC MOSFET短路仿真模型的建立方法，其特征在于，包括以下步驟：
獲取SiC MOSFET的靜態特性、瞬態熱阻抗和短路波形；
根據所述瞬態熱阻抗建立熱模型，并且由所述熱模型和短路波形得到所述SiC MOSFET短路時的結溫特性；
根據短路持續時間逐漸增加時的漏源電流波形得到泄漏電流波形和溝道電流波形；
根據所述SiC MOSFET的靜態特性和結溫特性建立溝道電流模型Ich，所述溝道電流模型Ich的方程為：
其中，
p1-p3、q1-q3為靜態特性參數，f(Tj)是與所述結溫特性相關的函數，Tj為結溫，s1-s5是與結溫特性有關的待擬合參數，Vgs為柵源電壓，Vds為漏源電壓；
根據所述SiC MOSFET的結溫特性建立漏源極泄漏電流模型Ilk；以及
根據所述溝道電流模型和所述泄漏電流模型得到SiC MOSFET短路仿真模型。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述漏源極泄漏電流模型Ilk的方程為：
其中，k1、k2和k3是與所述結溫特性相關的待擬合參數。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：
提取模型參數。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述提取模型參數，包括：
采用數據提取軟件將SiC MOSFET數據手冊中的瞬態熱阻抗曲線、輸出特性曲線和轉移特性曲線轉換為數據；
獲取短路持續時間逐漸增加時的柵源電壓、漏源電壓、漏源電流波形的數據；
根據瞬態熱阻抗方程和所述瞬態熱阻抗曲線數據在曲線擬合軟件中進行擬合得到熱模型參數；
根據所述熱模型和短路波形得到對應的結溫波形；
根據短路持續時間逐漸增加時的漏源電流波形得到泄漏電流波形和溝道電流波形；
根據所述溝道電流模型方程和所述泄漏電流模型方程和相應的數據進行擬合，得到擬合結果；
根據所述擬合結果對所述溝道電流模型方程和所述泄漏電流模型方程進行調整，以得到所述模型參數。
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