[發明專利]量子點發光裝置以及顯示裝置

有效

• 申請號: 202010212344.4
• 申請日: 2020-03-24
• 公開（公告）號: CN111430516B
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 王海琳;胡其樂
• 申請（專利權）人: 納晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/04
• 分類號: H01L33/04;H01L33/46;H01L33/60;H01L27/15
• 代理公司: 寧波聚禾專利代理事務所(普通合伙) 33336
• 代理人: 糜婧;顧賽喜

1.一種量子點發光裝置，包括具有芯片安裝區域的凹形框架，其特征在于，還包括：

設置在所述芯片安裝區域的發光二極管芯片，所述發光二極管芯片適于發射第一光線；

設置在所述發光二極管芯片出光方向上的量子點層；

設置在所述發光二極管芯片與所述量子點層之間的功能層，所述功能層為第一功能層或第二功能層；所述第一功能層對入射角小于等于i的所述第一光線的反射率大于等于R，所述第一功能層對入射角大于i的所述第一光線的反射率小于R，其中R≤90％，i＞0°，所述第一功能層包括至少一光子晶體層，所述光子晶體層包括一維光子晶體、二維光子晶體和三維光子晶體中的一種或多種；所述第二功能層為反射型偏光膜層，所述第二功能層反射所述第一光線中的第一偏振態的光，且透射所述第一光線中的第二偏振態的光，所述第一偏振態的光和所述第二偏振態的光正交。

2.根據權利要求1所述的量子點發光裝置，其特征在于，所述第一功能層對可見光的吸收率低于10％。

3.根據權利要求2所述的量子點發光裝置，其特征在于，所述第一功能層對可見光的吸收率低于1％。

4.根據權利要求1所述的量子點發光裝置，其特征在于，R≥30％。

5.根據權利要求4所述的量子點發光裝置，其特征在于，R≥60％。

6.根據權利要求1所述的量子點發光裝置，其特征在于，0°＜i≤45°。

7.根據權利要求6所述的量子點發光裝置，其特征在于，15°＜i≤30°。

8.根據權利要求1所述的量子點發光裝置，其特征在于，還包括設置在所述量子點層第一表面上的第一阻隔層和第二表面上的第二阻隔層。

9.根據權利要求1所述的量子點發光裝置，其特征在于，所述功能層與所述發光二極管芯片光強最大的區域相對設置。

10.根據權利要求1所述的量子點發光裝置，其特征在于，所述第二功能層對所述第一偏振態的光的反射率大于等于80％，所述第二功能層對所述第二偏振態的光的透射率大于等于80％。

11.根據權利要求1所述的量子點發光裝置，其特征在于，所述第一光線的波長為400nm～480nm。

12.根據權利要求11所述的量子點發光裝置，其特征在于，所述第一光線的波長為430～470nm。

13.根據權利要求1-12任一所述的量子點發光裝置，其特征在于，所述第一功能層包括1～6層所述光子晶體層，各所述光子晶體層的厚度相同或不同，每層所述光子晶體層的厚度為200nm～340nm。

14.根據權利要求13所述的量子點發光裝置，其特征在于，所述第一功能層包括1～4層所述光子晶體層。

15.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-14任一所述的量子點發光裝置。