[發(fā)明專利]一種基于薄膜介質(zhì)的小型化耦合器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010212122.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111293395A | 公開(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 修威;田海燕;吳迪;楊光 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京華鎂鈦科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01P5/12 | 分類號(hào): | H01P5/12 |
| 代理公司: | 北京慶峰財(cái)智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11417 | 代理人: | 李文軍 |
| 地址: | 100094 北京市海淀*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 薄膜 介質(zhì) 小型化 耦合器 | ||
1.一種基于薄膜介質(zhì)的小型化耦合器,其特征在于,包括:
薄膜介質(zhì);
位于所述薄膜介質(zhì)一側(cè)的四段枝節(jié)微帶線;以及
位于所述薄膜介質(zhì)另一側(cè)的開縫金屬地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于薄膜介質(zhì)的小型化耦合器,其特征在于,
所述開縫金屬地,是在完整的金屬地上有設(shè)計(jì)刻蝕縫隙,配合另一側(cè)微帶線形成L-C振蕩。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于薄膜介質(zhì)的小型化耦合器,其特征在于,所述薄膜介質(zhì)為液晶材料或者鐵電薄膜材料,且厚度小于100um。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于薄膜介質(zhì)的小型化耦合器,其特征在于,所述四段枝節(jié)微帶線包括兩段第一枝節(jié)微帶線和兩段第二枝節(jié)微帶線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于薄膜介質(zhì)的小型化耦合器,其特征在于,所述四段枝節(jié)微帶線的枝節(jié)是矩形或扇形。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于薄膜介質(zhì)的小型化耦合器,其特征在于,
所述第一枝節(jié)微帶線是雙枝節(jié)、三縫隙的微帶線結(jié)構(gòu),兩端微帶線寬wl1_1=0.29mm,枝節(jié)的長(zhǎng)寬分別為:ll1=0.21mm,wl1_2=0.7mm,兩微帶枝節(jié)間距dis1=0.035mm,三個(gè)縫隙尺寸相同,長(zhǎng)寬分別為:sl1=0.558mm,sw1=0.02mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求4或6所述的一種基于薄膜介質(zhì)的小型化耦合器,其特征在于,
所述第二枝節(jié)微帶線是雙枝節(jié)、三縫隙的微帶線結(jié)構(gòu),兩端微帶線寬wl2_1=0.18mm,枝節(jié)的長(zhǎng)寬分別為:ll2=0.18mm,wl2_2=0.6mm,兩微帶枝節(jié)間距dis2=0.035mm,三個(gè)縫隙尺寸相同,長(zhǎng)寬分別為:sl2=0.692mm,sw2=0.02mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種基于薄膜介質(zhì)的小型化耦合器,其特征在于,
將所述第一枝節(jié)微帶線和所述第二枝節(jié)微帶線依次旋轉(zhuǎn)連接,形成小型化耦合器的表面電路。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種基于薄膜介質(zhì)的小型化耦合器,其特征在于,
所述表面電路呈矩形,兩個(gè)所述第一枝節(jié)微帶線位于矩形的斜交叉位置,兩個(gè)所述第二枝節(jié)微帶線也位于所述矩形的斜交叉位置。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的一種基于薄膜介質(zhì)的小型化耦合器,其特征在于,
所述表面電路具有四個(gè)射頻端口,分別為輸入端、直通端、耦合端和隔離端。
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