[發(fā)明專利]一種高純硫酸生產(chǎn)工藝及生產(chǎn)系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010212076.6
• 申請日: 2020-03-24
• 公開（公告）號: CN111186820A
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 坎勇;陳亞欽;陳力
• 申請（專利權(quán)）人: 江陰江化微電子材料股份有限公司
• 主分類號: C01B17/74
• 分類號: C01B17/74;C01B17/90
• 代理公司: 無錫堅恒專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32348
• 代理人: 杜興

1.一種高純硫酸的生產(chǎn)工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S1：發(fā)煙硫酸導(dǎo)入蒸發(fā)器中加熱生成三氧化硫氣體；

S2：三氧化硫氣體導(dǎo)入除霧器中與純化塔中的冷卻盤管換熱除雜，得冷凝液相和氣相三氧化硫，氣相三氧化硫經(jīng)過除霧，得純化的三氧化硫氣體；

S3：循環(huán)吸收S2所得三氧化硫氣體，得硫酸半成品；

S4：以干燥壓縮空氣為氣提介質(zhì)，氣提處理S3所得硫酸半成品，經(jīng)緩沖處理，得高純硫酸成品；

所述S2中進入純化塔的三氧化硫氣體進料溫度為90～110℃，冷卻盤管中冷卻介質(zhì)的溫度為40～46℃，經(jīng)S2換熱和除霧處理后的三氧化硫氣體出料溫度為44～50℃。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高純硫酸的生產(chǎn)工藝，其特征在于，所述冷卻盤管中的冷卻介質(zhì)為S3所得硫酸半成品。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高純硫酸的生產(chǎn)工藝，其特征在于，循環(huán)吸收三氧化硫氣體的稀硫酸溫度為65～70℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高純硫酸的生產(chǎn)工藝，其特征在于，所述S4中包括連續(xù)的兩次氣提，一次氣提的硫酸進料量與空氣進料量之比為(12～17)：1，二次氣提的硫酸進料量與空氣進料量之比為(3～5)：1。

5.一種高純硫酸生產(chǎn)系統(tǒng)，包括發(fā)煙硫酸原料槽以及與所述發(fā)煙硫酸原料槽連通的蒸發(fā)器，其特征在于，所述蒸發(fā)器的氣相出口與純化塔底端連通，所述純化塔的氣相出口、純水源和半成品冷卻槽與吸收塔連通，所述半成品冷卻槽與吸收塔之間設(shè)置有閉合的硫酸半成品回路；

所述純化塔中設(shè)置有冷卻盤管和除霧器，所述除霧器位于所述冷卻盤管上方。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高純硫酸生產(chǎn)系統(tǒng)，其特征在于，還包括與半成品冷卻槽的低溫硫酸儲槽，所述低溫硫酸儲槽與所述冷卻盤管之間設(shè)置有閉合的冷卻介質(zhì)回路。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高純硫酸生產(chǎn)系統(tǒng)，其特征在于，所述低溫硫酸儲槽的出料口與冷卻盤管連通的管路上設(shè)置有熱交換器，或者所述低溫硫酸儲槽中設(shè)置有加熱元件。

8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的高純硫酸生產(chǎn)系統(tǒng)，其特征在于，還包括第一氣提塔和第二氣提塔，所述半成品冷卻槽與第一氣提塔的液相進料口連通，所述第一氣提塔的液相出料口與第二氣提塔的液相進料口連通，所述第一氣提塔和第二氣提塔的氣相進料口與干燥壓縮空氣氣源連通。