[發明專利]電熔絲結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202010211812.6
• 申請日: 2020-03-24
• 公開（公告）號: CN113451263A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 李曉華
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（深圳）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L21/768
• 代理公司: 上海德禾翰通律師事務所 31319
• 代理人: 侯莉

1.一種電熔絲結構，其特征在于，包括：

熔絲鏈，包括熔斷區和沿熔斷區延伸方向位于熔斷區兩側的電極區；

分別與所述電極區連接的多個分立的插塞，各插塞在熔斷區的寬度方向上的尺寸大于所述電極區在熔斷區的寬度方向上的尺寸。

2.根據權利要求1所述的電熔絲結構，其特征在于，所述熔斷區的寬度等于所述電極區在熔斷區的寬度方向上的尺寸；所述插塞在熔斷區的寬度方向上的尺寸大于所述熔斷區的寬度。

3.根據權利要求1或2所述的電熔絲結構，其特征在于，所述插塞的橫截面的形狀為矩形。

4.根據權利要求1或2所述的電熔絲結構，其特征在于，所述多個插塞沿著所述熔絲鏈的延伸方向成直線排列。

5.根據權利要求1或2所述的電熔絲結構，其特征在于，各插塞在熔斷區的寬度方向上的尺寸相等。

6.權利要求1或2所述的電熔絲結構，其特征在于，各插塞在在熔斷區的寬度方向上的尺寸各不相等；或者，各插塞在熔斷區的寬度方向上的尺寸至少部分不相同。

7.權利要求6所述的電熔絲結構，其特征在于，對于位于熔斷區任一側的多個插塞中任意相鄰的兩個插塞，在熔斷區的寬度方向上，遠離熔斷區的插塞的尺寸小于或等于靠近熔斷區的插塞的尺寸。

8.根據權利要求1所述的電熔絲結構，其特征在于，還包括：基底；位于基底上的介質層；所述熔絲鏈和插塞位于介質層中。

9.根據權利要求1所述的電熔絲結構，其特征在于，所述熔斷區兩側的電極區分別為陽極區和陰極區，與陽極區連接的插塞位于陽極區上，與陰極區連接的插塞位于陰極區下方，所述陽極區上的插塞用于與上層金屬層連接，所述陰極區下方的插塞用于與工作器件連接。

10.一種電熔絲結構的形成方法，其特征在于，包括:

提供基底；

在所述基底上形成熔絲鏈和多個分立的插塞，所述熔絲鏈包括熔斷區和沿熔斷區延伸方向位于熔斷區兩側的電極區，所述插塞分別與所述電極區連接，各插塞在熔斷區的寬度方向上的尺寸大于所述電極區在熔斷區的寬度方向上的尺寸。

11.根據權要10所述的電熔絲結構的形成方法，其特征在于，所述熔斷區的寬度等于所述電極區在熔斷區的寬度方向上的尺寸；所述插塞在熔斷區的寬度方向上的尺寸大于所述熔斷區的寬度。

12.根據權要10或11所述的電熔絲結構的形成方法，其特征在于，所述熔斷區兩側的電極區分別為陽極區和陰極區，所述插塞分為位于陽極區上與陽極區連接的第一插塞和位于陰極區下方與陰極區連接的第二插塞，所述第一插塞用于與上層金屬層連接，所述第二插塞用于與工作器件連接；

所述電熔絲結構的形成方法還包括：在所述基底上形成第一介質層；在所述第一介質層中形成第二插塞；形成覆蓋第二插塞和第一介質層的第二介質層；在所述第二介質層中形成所述熔絲鏈；形成覆蓋所述熔絲鏈和第二介質層的第三介質層；在所述第三介質層中形成貫穿的第一插塞。

13.根據權要12所述的電熔絲結構的形成方法，其特征在于，形成所述第二插塞的方法包括：采用雙重圖形化工藝或者四重圖形化工藝在所述第一介質層中形成第二插塞孔；在第二插塞孔中形成第二插塞；

形成所述第一插塞的方法包括：采用雙重圖形化工藝或者四重圖形化工藝在所述第三介質層中形成第一插塞孔；在第一插塞孔中形成第一插塞。