[發(fā)明專利]FinFET器件的鰭片制作方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010211746.2
• 申請日: 2020-03-24
• 公開（公告）號: CN113451121A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 戴成奇
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東漢豈工業(yè)技術(shù)研發(fā)有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/336
• 代理公司: 深圳市順天達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 44217
• 代理人: 郭偉剛

一種FinFET器件的鰭片制作方法，包括以下步驟：步驟S1、在半導(dǎo)體襯底(100)上蝕刻出蝕刻槽(110)，以使鄰近兩個(gè)蝕刻槽(110)之間形成鰭片(200)；步驟S2、在蝕刻槽(110)中施布ODL(300)，以使ODL(300)達(dá)到鰭片(200)的一定高度；步驟S3、采用氟基團(tuán)對鰭片(200)的位于ODL(300)上方的部分進(jìn)行干法腐蝕，以將鰭片(200)蝕刻成塔狀。本發(fā)明的FinFET器件的鰭片制作方法設(shè)計(jì)新穎，實(shí)用性強(qiáng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種FinFET器件的鰭片制作方法。

背景技術(shù)

鰭片刻蝕是FinFET制造過程中的一個(gè)常規(guī)步驟。鰭片輪廓是蝕刻后形成的，具體通過采用包括芯材蝕刻、間隔蝕刻和芯材去除技術(shù)的自對準(zhǔn)雙模(SADP)工藝形成，如圖1所示。在現(xiàn)有技術(shù)中，鰭片的形狀和寬度難以調(diào)整，鰭片的底座不夠?qū)?，?jīng)過FCVD后的收縮加工，鰭片容易在鰭片切割區(qū)域附近彎曲，如圖2-圖3中方框所圍部分所示。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明針對上述技術(shù)問題，提出了一種FinFET器件的鰭片制作方法。

本發(fā)明所提出的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明提出了一種FinFET器件的鰭片制作方法，包括以下步驟：

步驟S1、在半導(dǎo)體襯底上蝕刻出蝕刻槽，以使鄰近兩個(gè)蝕刻槽之間形成鰭片；

步驟S2、在蝕刻槽中施布ODL，以使ODL達(dá)到鰭片的一定高度；

步驟S3、采用氟基團(tuán)對鰭片的位于ODL上方的部分進(jìn)行干法腐蝕，以將鰭片蝕刻成塔狀。

本發(fā)明上述的鰭片制作方法中，在步驟S3中，采用氟基團(tuán)或氯基團(tuán)對鰭片的位于ODL上方的部分進(jìn)行干法腐蝕。

本發(fā)明上述的鰭片制作方法中，在步驟S3中，采用CF₄對鰭片的位于ODL上方的部分進(jìn)行干法腐蝕。

本發(fā)明上述的鰭片制作方法中，包括以下步驟：

步驟S1、在半導(dǎo)體襯底上蝕刻出蝕刻槽，以使鄰近兩個(gè)蝕刻槽之間形成鰭片；

步驟S2、在蝕刻槽中施布ODL，以使ODL達(dá)到鰭片的一定高度；

步驟S3、對鰭片的位于ODL上方的部分進(jìn)行氧氣處理并進(jìn)行濕法腐蝕，以將鰭片蝕刻成塔狀。

本發(fā)明上述的鰭片制作方法中，在步驟S3之后，本實(shí)施例的FinFET器件的鰭片制作方法還包括：去除ODL。

本發(fā)明上述的鰭片制作方法中，包括以下步驟：

步驟S1、在半導(dǎo)體襯底上蝕刻出蝕刻槽，以使鄰近兩個(gè)蝕刻槽之間形成鰭片；

步驟S2、采用氧氣原位鈍化鰭片的外壁；

步驟S3、采用SiO₂/Si腐蝕選擇比處于30～100之間的腐蝕氣體對蝕刻槽的槽底進(jìn)行干法腐蝕，以將鰭片蝕刻成塔狀。

本發(fā)明上述的鰭片制作方法中，腐蝕氣體選擇He、O₂和HBr三者的混和氣。

本發(fā)明提出的FinFET器件的鰭片制作方法，可以得到具有兩個(gè)錐角的塔狀鰭片，并能夠使得鰭片底部寬度更寬，這有助于減少后FCVD收縮過程中鰭片切割區(qū)域附近的鰭片彎曲效果。同時(shí)，錐角的大小可通過調(diào)整ODL厚度。本發(fā)明的FinFET器件的鰭片制作方法設(shè)計(jì)新穎，實(shí)用性強(qiáng)。

附圖說明

下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，附圖中：

圖1示出了一種現(xiàn)有FinFET器件的鰭片制作方法的流程示意圖；