[發明專利]一種側激發Kretschmann型波導SPR傳感器的制備方法在審
| 申請號： | 202010211710.4 | 申請日： | 2020-03-24 |
| 公開（公告）號： | CN111272713A | 公開（公告）日： | 2020-06-12 |
| 發明（設計）人： | 姚一村;陳南光;田振;張麗強;紀紅柱;王宗良;任世杰 | 申請（專利權）人： | 聊城大學 |
| 主分類號： | G01N21/552 | 分類號： | G01N21/552;C30B31/22 |
| 代理公司： | 青島致嘉知識產權代理事務所(普通合伙) 37236 | 代理人： | 高維波 |
| 地址： | 252059 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 激發 kretschmann 波導 spr 傳感器 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種側激發Kretschmann型波導SPR傳感器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟A，在晶體片的上表面制備兩條相互交叉的波導，分別作為入射、出射波導；
步驟B，使用精密金剛石刀切割的方法，在兩波導交叉處位置切割形成一凹槽，所述凹槽的走向要求為兩波導與凹槽內側壁形成的夾角相等，且兩波導位于凹槽同側；
步驟C，在凹槽中靠近波導一側的側壁上，沉積一層約幾十納米厚度的金屬薄層。
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟A所述入射與出射波導的夾角根據晶體折射率、需要得到的共振波長范圍及傳感靈敏度等要求，通過傳輸矩陣法或有限時域差分法的計算結果作為設計依據。
3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟B所述凹槽的位置要求為兩波導交叉的中心點位于凹槽內側壁所處的直線上。
4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟C所述金屬薄層以覆蓋波導模式區域為準。
5.如權利要求1或4所述的制備方法，其特征在于，步驟C所述金屬薄層為50nm左右厚度的金或銀薄層。
6.如權利要求1或4所述的制備方法，其特征在于，步驟C所述金屬薄層采用金屬多層膜結構。
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