[發明專利]太陽能單電池和太陽能電池組件

在審

• 申請號: 202010211603.1
• 申請日: 2020-03-24
• 公開（公告）號: CN111755537A
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 藤田和范;松山謙太
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L31/0288
• 分類號: H01L31/0288;H01L31/042
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種太陽能單電池，其特征在于，包括：

具有第1主面和背對所述第1主面的第2主面的第1導電型的半導體基片；

配置在所述第1主面上的所述第1導電型的第1半導體層；和

配置在所述第2主面上的、與所述第1導電型不同的第2導電型的第2半導體層，

所述半導體基片包括：

所述第1導電型的第1雜質區域；

配置在所述第1雜質區域與所述第1半導體層之間的所述第1導電型的第2雜質區域；和

配置在所述第1雜質區域與所述第2半導體層之間的所述第1導電型的第3雜質區域，

所述第2雜質區域的所述第1導電型的雜質濃度，比所述第3雜質區域的所述第1導電型的雜質濃度高，

所述第3雜質區域的所述第1導電型的雜質濃度，比所述第1雜質區域的所述第1導電型的雜質濃度高。

2.一種太陽能單電池，其特征在于，包括：

具有受光面和背面的第1導電型的半導體基片；

配置在所述背面的第1區域上的所述第1導電型的第1半導體層；和

配置在所述背面的與所述第1區域不同的第2區域上的、與所述第1導電型不同的第2導電型的第2半導體層，

所述半導體基片包括：

第1導電型的第1雜質區域；

配置在所述第1雜質區域與所述第1半導體層之間的所述第1導電型的第2雜質區域；和

配置在所述第1雜質區域與所述第2半導體層之間的所述第1導電型的第3雜質區域，

所述第2雜質區域的所述第1導電型的雜質濃度，比所述第3雜質區域的所述第1導電型的雜質濃度高，

所述第3雜質區域的所述第1導電型的雜質濃度，比所述第1雜質區域的所述第1導電型的雜質濃度高。

3.如權利要求1或2所述的太陽能單電池，其特征在于：

所述半導體基片為單晶硅基片，

所述第1半導體層和所述第2半導體層為非晶硅層。

4.如權利要求1或2所述的太陽能單電池，其特征在于：

所述第1導電型為n型，

所述第2導電型為p型。

5.一種太陽能電池組件，包括用多個配線件將多個太陽能單電池電串聯連接而成的太陽能電池串，其特征在于：

所述多個太陽能單電池各自為權利要求1～4中任一項所述的太陽能單電池。