[發明專利]薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示裝置在審
| 申請號： | 202010211165.9 | 申請日： | 2020-03-24 |
| 公開（公告）號： | CN111403287A | 公開（公告）日： | 2020-07-10 |
| 發明（設計）人： | 白妮妮;劉亮亮;彭利滿;薛智勇 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人： | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜晶體管 及其 制備 方法 陣列 顯示裝置 | ||
1.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：
提供襯底基板，所述襯底基板包括溝道區；
在所述襯底基板上溝道區的至少一端形成誘導金屬層；
在所述襯底基板上溝道區形成非晶硅層，其中，所述誘導金屬層的側壁與所述溝道區內非晶硅層的側壁接觸；
對形成有所述非晶硅層和誘導金屬層的襯底基板進行退火，使所述非晶硅層在所述誘導金屬層的作用下轉化形成多晶硅溝道層。
2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，形成所述誘導金屬層、非晶硅層和多晶硅溝道層包括：
在所述襯底基板上溝道區的至少一端形成所述誘導金屬層；
在形成有所述誘導金屬層的襯底基板上形成覆蓋所述襯底基板的所述非晶硅層，其中，所述誘導金屬層的側壁與所述溝道區內非晶硅層的側壁接觸；
對形成有所述非晶硅層和誘導金屬層的襯底基板進行退火，使所述非晶硅層在所述誘導金屬層的作用下轉化為多晶硅層；
去除覆蓋在所述溝道區以外的所述多晶硅層，得到所述多晶硅溝道層。
3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，形成所述誘導金屬層包括：在所述襯底基板上溝道區相對的兩端均形成所述誘導金屬層。
4.根據權利要求1-3中任一項所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述誘導金屬層的材料為鍺、錫、銅、鋁、金、鈀、硫化鋅、銻化銦、砷化鎵、磷化銦中的一種或多種。
5.根據權利要求1-3中任一項所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述誘導金屬層的厚度為400-800埃。
6.根據權利要求1-3中任一項所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述誘導金屬層采用磁控濺射法形成。
7.根據權利要求1-3中任一項所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，還包括：
形成覆蓋于所述多晶硅溝道層和誘導金屬層的第一絕緣層；
在所述第一絕緣層遠離所述多晶硅溝道層的一側形成柵極層；
形成覆蓋所述第一絕緣層和所述柵極層的第二絕緣層；
在所述第一絕緣層和第二絕緣層上開設過孔；
在所述第二絕緣層遠離所述多晶硅溝道層的一側形成源漏極層，使所述源漏極層通過所述過孔與所述多晶硅溝道層電連接。
8.一種薄膜晶體管，其特征在于，采用權利要求1-7中任一項所述的制備方法制備。
9.一種陣列基板，其特征在于，包括多個權利要求8所述的薄膜晶體管組成的陣列。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求9所述的陣列基板。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
