[發明專利]一種下沉式攝像模組板的加工方法

有效

• 申請號: 202010210531.9
• 申請日: 2020-03-24
• 公開（公告）號: CN111356306B
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 呂威
• 申請（專利權）人: 福萊盈電子股份有限公司
• 主分類號: H05K3/40
• 分類號: H05K3/40;H05K3/30
• 代理公司: 蘇州隆恒知識產權代理事務所(普通合伙) 32366
• 代理人: 周子軼

1.一種下沉式攝像模組板的加工方法，其特征在于，包括以下步驟：

在雙面覆銅板上制作內層線路；

在內層線路制作完成后，在雙面覆銅板的兩側貼合純膠，然后去除雙面覆銅板上端面Bonding區的純膠；

將第一單面覆銅板和第二單面覆銅板的樹脂面分別疊至所述雙面覆銅板的上下兩端面并層壓，層壓后分別在第一單面覆銅板和第二單面覆銅板的覆銅面制作中間層線路；

中間層線路制作完成后，在中間層線路上印刷黑色阻焊油墨；

黑色阻焊油墨印刷完成后，再分別在第一單面覆銅板和第二單面覆銅板的覆銅面貼合承載膜，然后在第一單面覆銅板上端面對應于所述雙面覆銅板上端面Bonding區處通過鐳射半切方式開蓋露出所述雙面覆銅板上端面的Bonding區，在露出的雙面覆銅板上端面Bonding區上制作第一內層焊盤開口；

第一內層焊盤開口制備完成后，在第一單面覆銅板上端面依次疊附第一PP板和第一銅箔，在第二單面覆銅板下端面依次疊附第二PP板和第二銅箔，疊板后整體層壓，層壓后，在第一銅箔和第二銅箔上分別制作外層線路，并分別在外層線路上制作外層焊盤開口；

外層焊盤開口制作完成后，對第一銅箔上端面的多個第一預設區域進行鐳射半切和開蓋，去除多個第一預設區域的第一銅箔層和第一PP板層，得到多個第一半下沉區；

外層焊盤開口制作完成后，對第二銅箔下端面的多個第四預設區域進行鐳射半切和開蓋，去除多個第四預設區域的第二銅箔層、第二PP板層和第二單面覆銅板層，得到多個第二半下沉區，然后去除多個第二半下沉區中雙面覆銅板下端面的純膠，并制作第二內層焊盤開口作為元器件焊接點；

外層焊盤開口制作完成后，對第一銅箔上端面的多個第二預設區域進行鐳射半切和開蓋，去除多個第二預設區域的第一銅箔層、第一PP板層、雙面覆銅板層和第二單面覆銅板層，得到多個第三半下沉區；

外層焊盤開口制作完成后，對第一銅箔上端面的多個第三預設區域進行鐳射半切和開蓋，去除多個第三預設區域的所有材料層，得到多個全下沉區；

其中，第一預設區域、第二預設區域以及第三預設區域均對應于雙面覆銅板上端面Bonding區，第四預設區域靠近第二銅箔下端面邊緣。

2.根據權利要求1所述的下沉式攝像模組板的加工方法，其特征在于，所述步驟“中間層線路制作完成后，在中間層線路上印刷黑色阻焊油墨”中，黑色阻焊油墨的印刷厚度為20～30um。

3.根據權利要求1所述的下沉式攝像模組板的加工方法，其特征在于，所述步驟“在露出的雙面覆銅板上端面Bonding區上制作第一內層焊盤開口”中，第一內層焊盤開口制作完成后對雙面覆銅板上端面的Bonding區印刷濕膜，濕膜的厚度35～45um，再進行后續處理。

4.根據權利要求1所述的下沉式攝像模組板的加工方法，其特征在于，所述步驟“對第一銅箔上端面的多個第二預設區域進行鐳射半切和開蓋，去除多個第二預設區域的第一銅箔層、第一PP板層、雙面覆銅板層和第二單面覆銅板層，得到多個第三半下沉區”中，采用UV鐳射機，對第一銅箔上端面的多個第二預設區域進行鐳射半切，鐳射深度為第一銅箔層至第一PP板層，開蓋，再次鐳射半切，去除多個第二預設區域的雙面覆銅板，再采用CO₂鐳射機對第二單面覆銅板的上端面進行大面積鐳射，然后壓干膜、曝光、蝕刻去除第二單面覆銅板層，即得多個第三半下沉區。

5.根據權利要求1所述的下沉式攝像模組板的加工方法，其特征在于，所述步驟“對第一銅箔上端面的多個第三預設區域進行鐳射半切和開蓋，去除多個第三預設區域的所有材料層，得到多個全下沉區”中，采用UV鐳射機，先對第一銅箔上端面的多個第三預設區域進行鐳射半切，鐳射深度為第一銅箔層至第一PP板層，開蓋露出雙面覆銅板上端面Bonding區，再從第二銅箔下端與多個第三預設區域對應區域處鐳射半切，鐳射深度為第二銅箔層至雙面覆銅板層，開蓋后得到多個全下沉區。

6.根據權利要求1所述的下沉式攝像模組板的加工方法，其特征在于，所述步驟“對第二銅箔下端面的多個第四預設區域進行鐳射半切和開蓋，去除多個第四預設區域的第二銅箔層、第二PP板層和第二單面覆銅板層，得到多個第二半下沉區”中，采用UV鐳射機，對第二銅箔下端面的多個第四預設區域進行鐳射半切，鐳射深度為第二銅箔層至第二PP板層，開蓋后，再采用CO₂鐳射機對第二單面覆銅板的下端面進行大面積鐳射，然后壓干膜、曝光、蝕刻去除第二單面覆銅板層，即得多個第二半下沉區。