[發明專利]一種具有Ga2 在審
| 申請號： | 202010204555.3 | 申請日： | 2020-03-21 |
| 公開（公告）號： | CN111403481A | 公開（公告）日： | 2020-07-10 |
| 發明（設計）人： | 王洪;高升;劉曉藝 | 申請（專利權）人： | 中山市華南理工大學現代產業技術研究院;華南理工大學 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56;H01L21/335 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人： | 江裕強 |
| 地址： | 528400 廣東省中山*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 ga base sub | ||
1.一種具有Ga2O3/Al2O3保護層的HEMT器件，其特征在于，包括AlGaN/GaN外延、源漏電極、Ga2O3/Al2O3保護層及柵電極；所述AlGaN/GaN外延上表面的兩端分別連接源漏電極；所述Ga2O3/Al2O3保護層層疊在AlGaN/GaN外延上；所述柵電極設置在Ga2O3/Al2O3保護層上。
2.根據權利要求1所述的具有Ga2O3/Al2O3保護層的HEMT器件，其特征在于，所述柵電極到源電極的距離小于柵電極到漏電極的距離。
3.根據權利要求1所述的具有Ga2O3/Al2O3保護層的HEMT器件，其特征在于，所述Ga2O3/Al2O3保護層的厚度為3-5 nm。
4.一種制備權利要求1所述的具有Ga2O3/Al2O3保護層的HEMT器件的方法，其特征在于，包括如下步驟：
（1）將AlGaN/GaN外延進行臺面隔離后定義源漏電極區域，接著沉積源漏電極；
（2）源漏電極剝離后，進行N2O plasma處理，得到Ga2O3/Al2O3保護層，處理完后再進行高溫退火工藝；最后定義柵極區域，沉積柵電極，得到所述具有Ga2O3/Al2O3保護層的HEMT器件。
5.根據權利要求4所述的具有Ga2O3/Al2O3保護層的HEMT器件的制備方法，其特征在于，步驟（2）所述N2O plasma處理在等離子體增強化學的氣相沉積中實現。
6.根據權利要求4所述的具有Ga2O3/Al2O3保護層的HEMT器件的制備方法，其特征在于，步驟（2）所述N2O plasma處理的具體工藝條件為：N2O的流量為50-150 sccm, 功率為100-300 W，腔體壓強為600-800 mTorr，溫度為200-300 ℃，處理時間為10-30 min。
7.根據權利要求4所述的具有Ga2O3/Al2O3保護層的HEMT器件的制備方法，其特征在于，步驟（2）所述高溫退火工藝的溫度超過800℃。
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