[發(fā)明專利]堆疊狀的單片的正置變質(zhì)的地面式的聚光太陽能電池

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010199946.0
• 申請日: 2020-03-20
• 公開（公告）號: CN111739970A
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·富爾曼;W·古特;M·莫伊澤爾
• 申請（專利權(quán)）人: 阿聚爾斯佩西太陽能有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L31/0687
• 分類號: H01L31/0687;H01L31/0352;H01L31/036;H01L31/065
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 郭毅

1.一種堆疊狀的、單片的、正置變質(zhì)的、地面式的聚光太陽能電池(S)，所述太陽能電池具有恰好五個(gè)子電池并且具有一個(gè)變質(zhì)緩沖層(MP1)，其中，

第一子電池(SC1)具有第一晶格常數(shù)G1和第一帶隙B1并且由鍺組成，

第二子電池(SC2)布置在所述第一子電池(SC1)上方，所述第二子電池具有第二晶格常數(shù)G2和第二帶隙B2并且包括GaInAs或由GaInAs組成，

第三子電池(SC3)布置在所述第二子電池(SC2)上方，所述第三子電池具有第二晶格常數(shù)G2和第三帶隙B3并且包括AlGaInAs或由AlGaInAs組成，

第四子電池(SC4)布置在所述第三子電池(SC3)上方，所述第四子電池具有第二晶格常數(shù)G2和第四帶隙B4并且包括InP，

第五子電池(SC5)布置在所述第四子電池(SC4)上方，所述第五子電池具有第二晶格常數(shù)G2和第五帶隙B5并且包括InP，

對于所述帶隙，適用B1B2B3B4B5，

對于所述晶格常數(shù)，適用G1G2，

所述變質(zhì)緩沖層(MP1)布置在所述第一子電池(SC1)與所述第二子電池(SC2)之間，并且在面向所述第一子電池(SC1)的下側(cè)處具有所述第一晶格常數(shù)G1，而在面向所述第二子電池的上側(cè)處具有所述第二晶格常數(shù)G2，

所述聚光太陽能電池(S)的布置在所述第一子電池(SC1)上方的所有半導(dǎo)體層在各個(gè)位于前面的子電池上外延地產(chǎn)生；

其特征在于，

所述第五子電池(SC5)由AlInGaP組成，其中，銦含量大于63％，并且所述第五子電池具有小于1500Ω/cm²或小于1000Ω/cm²的發(fā)射極層電阻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚光太陽能電池(S)，其特征在于，所述第四子電池(SC4)和/或所述第五子電池(SC5)具有GaInP或由GaInP組成。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聚光太陽能電池(S)，其特征在于，所述第四子電池(SC4)和/或所述第五子電池(SC5)關(guān)于III族元素具有0％或小于5％或小于1％的鋁含量。

4.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的聚光太陽能電池(S)，其特征在于，所述第五子電池(SC5)由AlInGaP組成，并且所述第五子電池(SC5)分別關(guān)于III族元素具有大于63％的銦含量和小于25％或小于37％的鋁含量。

5.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的聚光太陽能電池(S)，其特征在于，所述第五子電池(SC5)實(shí)施為異質(zhì)電池，其中，基極的鋁含量高于發(fā)射極的鋁含量。

6.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的聚光太陽能電池(S)，其特征在于，所述第五子電池(SC5)實(shí)施為異質(zhì)電池，其中，所述基極由AlInGaP形成，而所述發(fā)射極由InGaP形成。

7.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的聚光太陽能電池(S)，其特征在于，所述第二子電池(SC2)的層厚度(S2)和/或所述第三子電池(SC3)的層厚度(S3)大于1μm且小于5μm。

8.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的聚光太陽能電池(S)，其特征在于，所述第四子電池(SC4)的層厚度(S4)和/或所述第五子電池(SC5)的層厚度(S5)大于100nm并且小于500nm或小于1.5μm。

9.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的聚光太陽能電池(S)，其特征在于，所述變質(zhì)緩沖層(MP1)具有至少三層且最高十層的序列，和/或所述變質(zhì)緩沖層(MP1)具有至少0.5μm且最高4μm的層厚度。

10.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的聚光太陽能電池(S)，其特征在于，所述第二子電池(SC2)具有大于5.72·10^-10m的晶格常數(shù)，和/或所述第二子電池(SC2)具有大于1.07eV的帶隙，和/或所述第二子電池(SC2)具有小于24.5％的銦含量。