[發(fā)明專利]碳化硅籽晶及降低碳化硅單晶中穿透型位錯密度的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010198723.2
• 申請日: 2020-03-20
• 公開（公告）號: CN111270311A
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發(fā)明（設計）人: 楊祥龍;徐現(xiàn)剛;王垚浩;于國建;陳秀芳
• 申請（專利權）人: 廣州南砂晶圓半導體技術有限公司
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36;C30B23/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種碳化硅籽晶，其特征在于，包括：

第一表面、與所述第一表面相對的第二表面，所述碳化硅籽晶可以通過所述第二表面粘貼到籽晶托上；

所述第二表面上開設有多個溝槽，所述溝槽內(nèi)填充有與碳化硅的熱導率不同的填充材料，以使所述第一表面可以具有多個成核點。

2.根據(jù)權利要求1所述的碳化硅籽晶，其特征在于，所述填充材料的熱導率低于所述碳化硅的熱導率。

3.根據(jù)權利要求1所述的碳化硅籽晶，其特征在于，所述第二表面上，位于溝槽之間的部分為臺面，所述臺面的寬度為50-1000μm。

4.根據(jù)權利要求3所述的碳化硅籽晶，其特征在于，所述臺面的寬度為100-400μm。

5.根據(jù)權利要求3所述的碳化硅籽晶，其特征在于，所述臺面的形狀為菱形、正方形、正三角形或正六邊形。

6.根據(jù)權利要求1所述的碳化硅籽晶，其特征在于，所述溝槽包括第一溝槽和第二溝槽，所述第一溝槽垂直于所述碳化硅籽晶的主定位面，所述第二溝槽與所述主定位面的夾角大于或等于0°且小于90°。

7.根據(jù)權利要求6所述的碳化硅籽晶，其特征在于，所述第二溝槽與所述主定位面的夾角大于或等于0°且小于45°。

8.一種碳化硅籽晶，其特征在于，包括：

第一表面、與所述第一表面相對的第二表面，所述碳化硅籽晶可以通過所述第二表面粘貼到籽晶托上；

所述第二表面上設有周期性分布的薄膜圖案，用于形成所述薄膜圖案的材料的熱導率與碳化硅的熱導率不同，以使所述第一表面可以具有多個成核點。

9.根據(jù)權利要求8所述的碳化硅籽晶，其特征在于，所述薄膜圖案的材料的熱導率低于所述碳化硅的熱導率。

10.一種降低碳化硅單晶中穿透型位錯密度的方法，其特征在于，利用權利要求1至9任一所述的碳化硅籽晶，所述方法包括：

將所述碳化硅籽晶通過粘接劑粘接在籽晶托上，其中，所述碳化硅籽晶的第二表面靠近所述籽晶托；

將粘接有所述碳化硅籽晶的籽晶托裝入生長爐，進行抽真空；

控制生長溫度在2000-2400℃、溫場為近平微凸溫場，使碳化硅籽晶上填充材料所圍成的多個圖案區(qū)域或薄膜圖案所形成的圖案區(qū)域分別進行成核，并以多個所述成核中心形成的臺階逐漸向外擴展，直至多個所述成核中心連通形成連續(xù)層；

升溫降壓生長，使碳化硅單晶長厚，直至所述碳化硅單晶的厚度為預設厚度。