[發明專利]在半導體管芯上形成支撐層的半導體器件和方法

在審

• 申請號: 202010198703.5
• 申請日: 2013-08-30
• 公開（公告）號: CN111508853A
• 公開（公告）日: 2020-08-07
• 發明（設計）人: 林耀劍;陳康;顧煜
• 申請（專利權）人: 新科金朋有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/48;H01L21/60;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/498
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 陳嵐

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供半導體管芯；

在半導體管芯上方形成第一支撐層；

在半導體管芯周圍和第一支撐層的側表面周圍形成密封劑；以及

在所述半導體管芯和密封劑上方形成與所述第一支撐層相對的互連結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一支撐層在所述密封劑上方延伸超過所述半導體管芯的占位區。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一支撐層包括所述第一支撐層的在所述密封劑上方的區域中的開口。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述第一支撐層上方形成第二支撐層。

5.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供半導體管芯；

在半導體管芯上方形成第一支撐層；

在半導體管芯周圍形成密封劑；以及

在所述半導體管芯和密封劑上方形成與所述第一支撐層相對的互連結構。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述第一支撐層在所述密封劑上方延伸超過所述半導體管芯的占位區。

7.根據權利要求5所述的方法，其中所述第一支撐層包括所述第一支撐層的在所述密封劑上方的區域中的開口。

8.根據權利要求5所述的方法，還包括在所述第一支撐層上方形成第二支撐層。

9. 根據權利要求8所述的方法，還包括：

形成熱膨脹系數在10-300ppm/K范圍內的第一支撐層，以及

將所述第二支撐層形成為聚合物基體復合材料。

10.一種半導體器件，包括：

半導體管芯；

在半導體管芯上方形成的第一支撐層；

在半導體管芯周圍形成的密封劑；以及

在所述半導體管芯和密封劑上方形成的與所述第一支撐層相對的互連結構。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其中所述第一支撐層在所述密封劑上方延伸超過所述半導體管芯的占位區。

12.根據權利要求10所述的半導體器件，其中所述第一支撐層包括所述第一支撐層的在所述密封劑上方的區域中的開口。

13.根據權利要求10所述的半導體器件，還包括在所述第一支撐層上方形成的第二支撐層。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，其中所述第一支撐層具有在10-300ppm/K范圍內的熱膨脹系數，并且所述第二支撐層包括聚合物基復合材料。