[發明專利]高溫退火設備有效
| 申請號: | 202010198616.X | 申請日: | 2020-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN111312632B | 公開(公告)日: | 2023-02-14 |
| 發明(設計)人: | 李旭剛;陳志兵 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京思創畢升專利事務所 11218 | 代理人: | 孫向民;廉莉莉 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高溫 退火 設備 | ||
1.一種高溫退火設備,其特征在于,包括隔離壁、工藝管和紅外測溫裝置,所述工藝管置于所述隔離壁圍成的腔體中,所述紅外測溫裝置包括石墨護管、紅外溫度計、第一KF法蘭、第二KF法蘭和吹氣組件,所述紅外溫度計置于所述隔離壁外側并用于檢測所述工藝管的溫度,其中:
所述第一KF法蘭的非KF端設置于所述隔離壁的側孔中,KF端位于所述隔離壁外側,所述第一KF法蘭和所述第二KF法蘭密封固定;
所述石墨護管設置于所述第一KF法蘭中,并延伸到所述隔離壁的內壁;
所述紅外溫度計設置于所述第二KF法蘭中,所述紅外溫度計發出的檢測信號通過所述石墨護管垂直照射于被測對象;
吹氣組件設置于所述第二KF法蘭的側壁,所述第二KF法蘭上設置有通氣結構,所述通氣結構用于連通所述石墨護管和所述吹氣組件的氣路。
2.根據權利要求1所述的高溫退火設備,其特征在于,所述通氣結構包括錐形孔和通氣孔:
所述錐形孔設置在所述第二KF法蘭的KF端,所述錐形孔的大口端朝向所述石墨護管,小口端朝向所述紅外溫度計;
所述通氣孔的一端設置在所述錐形孔的錐面上,另一端連接至所述吹氣組件的氣路。
3.根據權利要求2所述的高溫退火設備,其特征在于,所述通氣孔包括錐形孔段和圓柱孔段:
所述錐形孔段的大口端設置在所述錐形孔的錐面上,小口端與圓柱孔段的一端連接,所述圓柱孔段的另一端連接至所述吹氣組件的氣路。
4.根據權利要求1所述的高溫退火設備,其特征在于,所述隔離壁包括多層,所述紅外測溫裝置還包括定位套,所述定位套的一端插入所述第一KF法蘭,另一端插入所述隔離壁的內層,所述定位套的外徑與所述第一KF法蘭間隙配合,所述石墨護管插入所述定位套內。
5.根據權利要求4所述的高溫退火設備,其特征在于,所述隔離壁包括兩層,外層為爐筒,內層為爐筒內層的保溫層;
所述第一KF法蘭的KF端設置于所述爐筒的側孔中。
6.根據權利要求1所述的高溫退火設備,其特征在于,所述紅外測溫裝置還包括固定螺套、鎖緊螺母,所述紅外溫度計通過所述固定螺套和所述鎖緊螺母設置于所述第二KF法蘭中。
7.根據權利要求6所述的高溫退火設備,其特征在于,所述紅外測溫裝置還包括密封圈、觀察窗和墊圈,所述密封圈、所述觀察窗和所述墊圈依次置于所述第二KF法蘭的KF端和所述紅外溫度計之間,并通過所述固定螺套壓緊。
8.根據權利要求1所述的高溫退火設備,其特征在于,所述紅外測溫裝置還包括KF O形環、KF中心圈和KF卡箍,所述KF O形環、所述KF中心圈和所述KF卡箍密封固定所述第一KF法蘭和所述第二KF法蘭。
9.根據權利要求1所述的高溫退火設備,其特征在于,所述石墨護管的內徑范圍為6mm~10mm。
10.根據權利要求1所述的高溫退火設備,其特征在于,在測溫時:
所述紅外溫度計發射的檢測信號通過所述石墨護管垂直照射于所述工藝管,并收集所述工藝管的紅外輻射能量,以檢測所述工藝管的溫度;
所述吹氣組件通過所述通氣結構向所述石墨護管吹入惰性氣體以清掃光路。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





