[發(fā)明專利]層疊陶瓷電容器以及層疊陶瓷電容器的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010198558.0
• 申請日: 2020-03-19
• 公開（公告）號: CN111755247B
• 公開（公告）日: 2022-01-07
• 發(fā)明（設計）人: 大西浩介;村松諭;神崎泰介
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01G4/232
• 分類號: H01G4/232;H01G4/224;H01G4/30;H01G2/10
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 趙琳琳

1.一種層疊陶瓷電容器，具備：

電容元件，具有層疊的多個陶瓷層和多個內部電極，并具有在高度方向上相互對置的一對主面、在與所述高度方向正交的長度方向上相互對置的一對端面、以及在與所述高度方向以及所述長度方向正交的寬度方向上相互對置的一對側面；以及

至少兩個外部電極，形成于所述電容元件的表面，

其中，

所述內部電極在所述端面和/或所述側面被引出到所述電容元件的表面，與所述外部電極連接，

所述外部電極具有：

基底電極層，形成于所述電容元件的表面；以及

Cu鍍覆電極層，形成于所述基底電極層的表面，且緣部與所述電容元件的表面對置，

在所述Cu鍍覆電極層的緣部與所述電容元件的表面之間存在Sn。

2.根據(jù)權利要求1所述的層疊陶瓷電容器，其中，

所述基底電極層以Ni為主要成分。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的層疊陶瓷電容器，其中，

所述層疊陶瓷電容器進一步具備：

至少一層第二鍍覆電極層，形成于所述Cu鍍覆電極層的表面、且緣部與所述電容元件的表面對置。

4.根據(jù)權利要求3所述的層疊陶瓷電容器，其中，

所述第二鍍覆電極層包含Sn鍍覆電極層。

5.根據(jù)權利要求4所述的層疊陶瓷電容器，其中，

所述第二鍍覆電極層包含：

Ni鍍覆電極層，形成于所述Cu鍍覆電極層的表面；以及

所述Sn鍍覆電極層，形成于所述Ni鍍覆電極層的表面。

6.根據(jù)權利要求1或2所述的層疊陶瓷電容器，其中，

所述內部電極具有第一內部電極和第二內部電極，

所述第一內部電極從兩個所述端面引出到所述電容元件的表面，與所述外部電極連接，

所述第二內部電極從至少一個所述側面引出到所述電容元件的表面，與所述外部電極連接，

由此構成了3端子型電容器。

7.一種層疊陶瓷電容器的制造方法，其中，

具備如下工序：

制作多個陶瓷生片的工序；

在所述多個陶瓷生片中的特定陶瓷生片的主面，將用于形成內部電極的導電性膏涂敷成所期望的形狀的工序；

層疊多個所述陶瓷生片，使其一體化來制作未燒成電容元件的工序；

對所述未燒成電容元件進行燒成，制作層疊了多個陶瓷層和多個內部電極的電容元件的工序；

在所述電容元件的表面形成基底電極層的工序；

在所述基底電極層的表面形成緣部與所述電容元件的表面對置的Cu鍍覆電極層的工序；

使所述電容元件浸漬到溶解了Sn的溶液，至少使所述Cu鍍覆電極層的緣部與所述電容元件的表面之間含浸Sn的工序；以及

在所述Cu鍍覆電極層的表面形成緣部與所述電容元件的表面對置的至少一層第二鍍覆電極層的工序。

8.根據(jù)權利要求7所述的層疊陶瓷電容器的制造方法，其中，

在所述電容元件的表面形成所述基底電極層的工序是如下工序：

在所述未燒成電容元件的表面，將用于形成所述基底電極層的導電性膏涂敷成所期望的形狀，

在對所述未燒成電容元件進行燒成來制作所述電容元件的工序中，將所述導電性膏與所述未燒成電容元件同時進行燒成。

9.根據(jù)權利要求8所述的層疊陶瓷電容器的制造方法，其中，

在為了形成所述基底電極層而涂敷導電性膏的工序中，包含涂敷含有Ni的導電性膏的工序。

10.根據(jù)權利要求7至9中任一項所述的層疊陶瓷電容器的制造方法，其中，

所述制造方法進一步具備：

在使所述電容元件浸漬到溶解了Sn的溶液中之后，從所述電容元件的表面和/或所述Cu鍍覆電極層的表面除去不必要的Sn的工序。