[發明專利]高性能有機無機雜化鈣鈦礦光電材料及其制備方法和應用在審
| 申請號: | 202010198306.8 | 申請日: | 2020-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN111403610A | 公開(公告)日: | 2020-07-10 |
| 發明(設計)人: | 鐘杰;應杭凱;黃福志;程一兵 | 申請(專利權)人: | 武漢理工大學 |
| 主分類號: | H01L51/48 | 分類號: | H01L51/48;H01L51/46 |
| 代理公司: | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人: | 崔友明 |
| 地址: | 430070 湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 性能 有機 無機 雜化鈣鈦礦 光電 材料 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種高性能有機無機雜化鈣鈦礦光電材料的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
將有機無機雜化鈣鈦礦前驅體薄膜置于密閉容器內后,向所述密閉容器內加入沸點不低于100℃的弱極性溶液,然后,充入氣體,使所述密閉容器內壓力升至設定壓力值,隨后,加熱,使所述密閉容器升溫至設定溫度后,冷卻,得到高性能有機無機雜化鈣鈦礦光電材料。
2.根據權利要求1所述的高性能有機無機雜化鈣鈦礦光電材料的制備方法,其特征在于,所述有機無機雜化鈣鈦礦前驅體薄膜主要為MAxFA1-xPbI3薄膜、FAxCs1-xPbI3薄膜、MAPbIxBr3-x薄膜、MAPbIxCl3-x薄膜中的一種。
3.根據權利要求1或2所述的高性能有機無機雜化鈣鈦礦光電材料的制備方法,其特征在于,所述有機無機雜化鈣鈦礦前驅體薄膜通過溶液涂布的方法制得。
4.根據權利要求1所述的高性能有機無機雜化鈣鈦礦光電材料的制備方法,其特征在于,所述弱極性溶液為異辛烷、全氟萘烷、全氟辛烷中的一種或多種。
5.根據權利要求1所述的高性能有機無機雜化鈣鈦礦光電材料的制備方法,其特征在于,所述氣體主要為空氣、氮氣、氧氣、氬氣、氫氣中的一種或多種。
6.根據權利要求1所述的高性能有機無機雜化鈣鈦礦光電材料的制備方法,其特征在于,所述設定壓力值為0.5-20MPa,所述設定溫度為130-330℃。
7.根據權利要求1所述的高性能有機無機雜化鈣鈦礦光電材料的制備方法,其特征在于,所述密閉容器的體積與所述有機無機雜化鈣鈦礦前驅體薄膜的面積的比為0.5-100cm。
8.根據權利要求1所述的高性能有機無機雜化鈣鈦礦光電材料的制備方法,其特征在于,所述有機無機雜化鈣鈦礦前驅體薄膜浸沒在所述弱極性溶液中,且所述弱極性溶液的體積≤1/2所述密閉容器的體積。
9.一種高性能有機無機雜化鈣鈦礦光電材料,其特征在于,所述高性能有機無機雜化鈣鈦礦光電材料由權利要求1至8任一項所述的高性能有機無機雜化鈣鈦礦光電材料的制備方法制得。
10.權利要求9所述的高性能有機無機雜化鈣鈦礦光電材料在光電器件中的應用。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





