[發明專利]一種提拉速度控制方法及設備、系統在審
| 申請號： | 202010197634.6 | 申請日： | 2020-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN113493926A | 公開（公告）日： | 2021-10-12 |
| 發明（設計）人： | 王正遠;李僑 | 申請（專利權）人： | 隆基綠能科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/20 | 分類號： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京知迪知識產權代理有限公司 11628 | 代理人： | 周娟 |
| 地址： | 710100 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 速度 控制 方法 設備 系統 | ||
1.一種提拉速度控制方法，其特征在于，包括：
獲取晶體徑向參數的測量值d；
根據所述晶體徑向參數的測量值d和預設增益系數k確定所述晶體的提拉速度控制信號，所述晶體的提拉速度控制信號在每個提拉控制周期內包括第一控制信號和第二控制信號；
根據所述第一控制信號在第一時段控制所述晶體以第一提拉速度V1進行晶體生長，所述第一提拉速度V1用于在所述第一時段抑制所述晶體徑向參數的偏差值；
根據所述第二控制信號在第二時段控制所述晶體以第二提拉速度V2進行晶體生長。
2.根據權利要求1所述的提拉速度控制方法，其特征在于，所述晶體徑向參數的測量值d為晶體直徑、晶體半徑或晶體周長；所述晶體徑向參數的偏差值為晶體的直徑偏差、晶體的半徑偏差或晶體的周長偏差。
3.根據權利要求1所述的提拉速度控制方法，其特征在于，所述根據所述晶體徑向參數的測量值d和預設增益系數k確定所述晶體的提拉速度控制信號包括：
根據所述晶體徑向參數的測量值d和預設增益系數k，確定所述第一時段的占空比R；
根據所述第一時段的占空比R和第一提拉速度V1，確定第一控制信號；
根據所述第一時段的占空比R和第二提拉速度V2，確定第二控制信號。
4.根據權利要求3所述的提拉速度控制方法，其特征在于，所述第一時段的占空比R滿足：R＝k|d-d0|，d0為晶體的目標徑向參數，R大于0且小于1，所述晶體徑向參數的測量值d為在所述提拉控制周期的初始時刻，所述晶體在固液生長界面處的晶體徑向參數。
5.根據權利要求3所述的提拉速度控制方法，其特征在于，
所述第一控制信號包括第一提拉速度V1和第一時段的時長T1；所述第一時段的時長T1滿足T1＝R*T，T為提拉控制周期；和/或，
所述第二控制信號包括第二提拉速度V2和第二時段的時長T2；所述第二提拉速度V2等于參考速度V0，所述第二時段的時長T2滿足T2＝T(1-R)，T為提拉控制周期。
6.根據權利要求3所述的提拉速度控制方法，其特征在于，所述獲取晶體徑向參數的測量值d后，所述根據所述第一時段的占空比R和第一提拉速度V1，確定第一控制信號前，所述提拉速度控制方法還包括：根據所述晶體徑向參數的測量值d、所述晶體的目標徑向參數d0和參考速度V0確定所述第一提拉速度V1；
所述獲取晶體徑向參數的測量值d后，所述根據所述第一時段的占空比R和第二提拉速度V2，確定第二控制信號前，所述提拉速度控制方法還包括：設定所述參考速度V0為所述第二提拉速度V2。
7.根據權利要求6所述的提拉速度控制方法，其特征在于，所述根據所述晶體徑向參數的測量值d、晶體的目標徑向參數d0和參考速度V0確定所述第一提拉速度V1，包括：
確定所述晶體徑向參數的測量值d小于所述晶體的目標徑向參數d0的情況下，對所述參考速度V0進行降速處理，獲得第一提拉速度V1；
確定所述晶體徑向參數的測量值d大于所述晶體的目標徑向參數d0的情況下，對所述參考速度V0進行提速處理，獲得第一提拉速度V1；
確定所述晶體徑向參數的測量值d等于所述晶體的目標徑向參數d0的情況下，設定所述參考速度V0為第一提拉速度V1。
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