[發明專利]一種檢測芯片、其修飾方法及反應系統

有效

• 申請號: 202010197454.8
• 申請日: 2020-03-19
• 公開（公告）號: CN111229348B
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 殷雨丹;于靜;劉浩男;劉祝凱
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: B01L3/00
• 分類號: B01L3/00
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 劉源

1.一種檢測芯片的修飾方法，其特征在于，包括：

在玻璃基底上形成疏水層；

在所述疏水層上形成多個點樣平臺、以及在各所述點樣平臺所在區域覆蓋所述點樣平臺的硅氧化物，獲得具有所述硅氧化物的所述檢測芯片；

將具有所述硅氧化物的所述檢測芯片置于多巴胺的緩沖液中，形成覆蓋所述硅氧化物的聚多巴胺膜；

將具有所述聚多巴胺膜的所述檢測芯片置于透明質酸鈉的緩沖液中，得到表面結合有羧基的所述檢測芯片。

2.如權利要求1所述的修飾方法，其特征在于，所述多巴胺與所述透明質酸鈉的質量濃度比為1:1-1:5。

3.如權利要求1所述的修飾方法，其特征在于，所述將具有硅氧化物的所述檢測芯片置于多巴胺的緩沖液中，形成覆蓋所述硅氧化物的聚多巴胺膜，具體包括：

稱取500mg多巴胺溶于250mL pH值為7-9、濃度為10mM的三羥甲基氨基甲烷鹽酸鹽中，獲得所述多巴胺的緩沖液；

將具有硅氧化物的所述檢測芯片放入所述多巴胺的緩沖液中，室溫靜置反應12h-24h。

4.如權利要求1所述的修飾方法，其特征在于，所述將具有所述聚多巴胺膜的所述檢測芯片置于透明質酸鈉的緩沖液中，得到表面結合有羧基的所述檢測芯片，具體包括：

稱取1.25g透明質酸鈉溶于250mL pH值為7-9、濃度為10mM的三羥甲基氨基甲烷鹽酸鹽中，獲得所述透明質酸鈉的緩沖液；

將具有所述聚多巴胺膜的所述檢測芯片放入所述透明質酸鈉的緩沖液，在20℃-40℃的溫度條件下靜置反應12h-24h。

5.如權利要求1-4任一項所述的修飾方法，其特征在于，在獲得具有所述硅氧化物的所述檢測芯片之后，且在所述將具有硅氧化物的所述檢測芯片置于多巴胺的緩沖液中，形成覆蓋所述硅氧化物的聚多巴胺膜之前，還包括：

對具有硅氧化物的所述檢測芯片活化處理，以使所述硅氧化物轉化為硅羥基。

6.如權利要求5所述的修飾方法，其特征在于，所述對具有硅氧化物的所述檢測芯片活化處理，以使所述硅氧化物轉化為硅羥基，具體包括：

將具有硅氧化物的所述檢測芯片放入食人魚溶液中，在70℃-90℃的溫度條件下浸泡12h-24h；所述食人魚溶液由濃硫酸和30％雙氧水構成，其中，所述濃硫酸與所述30％雙氧水的體積比為1:3。

7.如權利要求5所述的修飾方法，其特征在于，在執行每一步驟之后，對所述檢測芯片進行如下處理：

采用去離子水對所述檢測芯片清洗三遍后，氮氣吹干備用。

8.如權利要求5所述的修飾方法，其特征在于，在獲得具有所述硅氧化物的所述檢測芯片之后，且在所述對具有硅氧化物的所述檢測芯片活化處理之前，還包括：

依次采用丙酮、乙醇、去離子水對具有硅氧化物的所述檢測芯片進行超聲清洗，并采用氮氣對清洗后的所述檢測芯片吹干備用。

9.如權利要求1-4、6-8任一項所述的修飾方法，其特征在于，在各所述點樣平臺所在區域覆蓋所述點樣平臺的硅氧化物，獲得具有所述硅氧化物的所述檢測芯片，具體包括：

采用等離子體增強化學的氣相沉積法，在390℃的溫度條件下，在各所述點樣平臺所在層上沉積厚度為300nm、材質為硅氧化物的親水層，并對所述親水層進行刻蝕，保留各所述點樣平臺所在區域的硅氧化物，獲得具有所述硅氧化物的所述檢測芯片。

10.一種檢測芯片，其特征在于，包括：玻璃基底，位于所述玻璃基底上的多個點樣平臺，以及覆蓋各所述點樣平臺的親水層，所述親水層包括具有化學修飾基團的硅氧化物；其中，

所述化學修飾基團采用如權利要求1-9任一項所述的修飾方法獲得。

11.一種反應系統，其特征在于，包括如權利要求10所述的檢測芯片。