[發(fā)明專利]一種檢測芯片、其修飾方法及反應(yīng)系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010197439.3
• 申請日: 2020-03-19
• 公開（公告）號: CN111266142A
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 殷雨丹;于靜;劉浩男;劉祝凱
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: B01L3/00
• 分類號: B01L3/00;G01N33/68
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 劉源

1.一種檢測芯片的修飾方法，其特征在于，包括：

對具有硅氧化物的所述檢測芯片活化處理，以使所述硅氧化物轉(zhuǎn)化為硅羥基；

將具有所述硅羥基的所述檢測芯片置于3-甘油丙基三甲氧基硅烷的有機溶液中，得到表面結(jié)合有環(huán)氧基的所述檢測芯片。

2.如權(quán)利要求1所述的修飾方法，其特征在于，將具有所述硅羥基的所述檢測芯片置于3-甘油丙基三甲氧基硅烷的有機溶液中，得到表面結(jié)合有環(huán)氧基的所述檢測芯片，具體包括：

將具有所述硅羥基的所述檢測芯片放入0.5％-5％(v/v)3-甘油丙基三甲氧基硅烷的甲苯溶液中，在室溫至70℃的溫度條件下密閉浸泡24h-72h。

3.如權(quán)利要求2所述的修飾方法，其特征在于，所述將具有所述硅羥基的所述檢測芯片放入0.5％-5％(v/v)3-甘油丙基三甲氧基硅烷的甲苯溶液中，在室溫至70℃的溫度條件下密閉浸泡24h-72h，具體包括：

將具有所述硅羥基的所述檢測芯片放入3％(v/v)3-甘油丙基三甲氧基硅烷的甲苯溶液中，在70℃下密閉浸泡24h。

4.如權(quán)利要求1所述的修飾方法，其特征在于，所述對具有硅氧化物的所述檢測芯片活化處理，以使所述硅氧化物轉(zhuǎn)化為硅羥基，具體包括：

將具有硅氧化物的所述檢測芯片放入食人魚溶液中，在70℃-90℃的溫度條件下浸泡12h-24h；所述食人魚溶液由濃硫酸和30％雙氧水構(gòu)成，其中，所述濃硫酸與所述30％雙氧水的體積比為1:3。

5.如權(quán)利要求1所述的修飾方法，其特征在于，在執(zhí)行每一步驟之后，對所述檢測芯片進行如下處理：

采用去離子水對所述檢測芯片沖洗兩遍；

將沖洗后的所述檢測芯片在去離子水中超聲清洗處理后，氮氣吹干備用。

6.如權(quán)利要求1-5任一項所述的修飾方法，其特征在于，在所述對具有硅氧化物的所述檢測芯片活化處理之前，還包括：

依次采用丙酮、乙醇、去離子水對具有硅氧化物的所述檢測芯片進行超聲清洗，并采用氮氣對清洗后的所述檢測芯片吹干備用。

7.如權(quán)利要求6所述的修飾方法，其特征在于，在所述采用丙酮對具有硅氧化物的所述檢測芯片進行超聲清洗之前，還包括：

對玻璃基底進行預(yù)處理，形成具有硅氧化物的所述檢測芯片。

8.如權(quán)利要求7所述的修飾方法，其特征在于，所述對玻璃基底進行預(yù)處理，形成具有硅氧化物的所述檢測芯片，具體包括：

在所述玻璃基底上形成多個點樣平臺；

采用等離子體增強化學(xué)的氣相沉積法，在390℃的溫度條件下，在各所述點樣平臺所在層上沉積厚度為300nm、材質(zhì)為硅氧化物的親水層，并對所述親水層進行刻蝕，保留各所述點樣平臺所在區(qū)域的硅氧化物，獲得具有所述硅氧化物的所述檢測芯片。

9.一種檢測芯片，其特征在于，包括：玻璃基底，位于所述玻璃基底上的多個點樣平臺，以及覆蓋各所述點樣平臺的親水層，所述親水層包括具有化學(xué)修飾基團的硅氧化物；其中，

所述化學(xué)修飾基團采用如權(quán)利要求1-8任一項所述的修飾方法獲得。

10.一種反應(yīng)系統(tǒng)，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的檢測芯片。