[發明專利]二維材料為間隔層的磁子磁電阻器件及包括其的電子設備

在審

• 申請號: 202010196853.2
• 申請日: 2020-03-19
• 公開（公告）號: CN113497181A
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: 韓秀峰;邢耀文
• 申請（專利權）人: 中國科學院物理研究所
• 主分類號: H01L43/08
• 分類號: H01L43/08;H01L43/10;G01R33/09
• 代理公司: 北京市正見永申律師事務所 11497
• 代理人: 黃小臨;馮玉清

1.一種磁子磁電阻電阻器件，包括：

第一鐵磁性絕緣層；

設置在所述第一鐵磁性絕緣層上的二維導電材料層；以及

設置在所述二維導電材料層上的第二鐵磁絕緣層。

2.如權利要求1所述的磁子磁電阻器件，其中，所述二維導電材料層可具有1-10個原子層的厚度，優選地具有1-5個原子層的厚度，更優選地具有1-3個原子層的厚度。

3.如權利要求1所述的磁子磁電阻器件，其中，所述二維導電材料層包括鐵磁性材料、反鐵性磁材料或非磁性材料。

4.如權利要求1所述的磁子磁電阻器件，其中，所述鐵磁性材料選自包括Co₂S₂、CoBr₂、CoC₂、Cr₂C、CrBr₃、CrC₂、CrGaTe₃、CrI₃、CrOBr、CrWGe₂Te₆、CrWI₆、ErSe、EuOBr、FeBr₂、FeC₂、Fe₃GeTe₂、FeI₂、MnC₂、NiBr₂、NiC₂、NiI₂、VC₂的其中一種二維材料或其組合，

所述反鐵磁性材料選自包括Fe₂O₃、CoI₂、CoO₂、NiO₂、CrI₂、CrSe₂、FeSe、MnBr₂、MnCl₂、MnI₂、VBr₂、VI₂的其中一種二維材料或其組合，

所述非磁性材料選自包括AgBr、As、AuBr、AuSe、Bi、Bi₂Se₃、Bi₂Te₃、BN、C、CaI₂、CdBr₂、CdI₂、Cu₂Te、CuBr、CuI、CuTe、FeS、GaGeTe、GaS、GaSe、GaTe、GeI₂、GeS、GeSe、Hf₃Te₂、HfS₂、HfSe₂、HfTe₂、HgI₂、In₂Se₃、InSe、LaI₂、MgBr₂、MgI₂、MoS₂、MoSe₂、MoTe₂、NbS₂、NbSe₂、NbTe₂、NdI₂、OLuI、PbI2、PbO、PbTe、PdS₂、PtO₂、PtS₂、PtSe₂、ReSe₂、Sb、Sb₂Te₃、SiTe₂、SnO、SnS₂、SnSe₂、SnTe、SrI₂、TaS₂、TaSe₂、TiBr₂、TiNI、TiS₂、TiSe₂、TiTe₂、Tl₂O、Tl₂S、TlF、W₂N₃、WS₂、WSe₂、WTe₂、YbI₂、ZnBr₂、ZnI2、ZrBr、ZrI₂、ZrS₂、ZrSe₂、ZrTe₂的其中一種二維材料或其組合。