[發明專利]顯示裝置及該顯示裝置的制造方法在審
| 申請號: | 202010196329.5 | 申請日: | 2020-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN112018251A | 公開(公告)日: | 2020-12-01 |
| 發明(設計)人: | 柳長煒;金頌伊;金秀珍;池宇萬 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 姜長星;全振永 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
第一基礎基板;
多個像素,布置于所述第一基礎基板上,并且分別包括像素區域及所述像素區域周圍的非像素區域;
第二基礎基板,將所述像素置于所述第二基礎基板與所述第一基礎基板之間而與所述第一基礎基板相面對;以及
多個光轉換層,布置于所述第二基礎基板下方,并且與所述像素的所述像素區域重疊,
其中,所述第二基礎基板包括:
第一部分,與所述非像素區域重疊;以及
第二部分,在所述第一部分的周圍,
其中,所述第一部分的折射率與所述第二部分的折射率不同。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述第一部分布置于所述第二基礎基板的上表面與所述第二基礎基板的下表面之間。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,
所述第一部分相比于所述第二基礎基板的所述上表面而更鄰近于所述第二基礎基板的所述下表面。
4.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,還包括:
黑矩陣,布置于所述第二基礎基板下方且與所述非像素區域重疊,
其中,所述第一部分鄰近于所述黑矩陣。
5.根據權利要求4所述的顯示裝置,其中,還包括:
隔壁絕緣層,布置于所述光轉換層之間;以及
多個濾色器,布置于所述光轉換層與所述第二基礎基板之間,
其中,所述黑矩陣布置于所述多個濾色器之間。
6.根據權利要求4所述的顯示裝置,其中,
以水平于所述第二基礎基板的上表面的方向為基準,所述第一部分的寬度小于或等于所述黑矩陣的寬度。
7.根據權利要求4所述的顯示裝置,其中,
以垂直于所述第二基礎基板的上表面的上部方向為基準,所述第一部分的厚度大于或等于所述第二基礎基板的厚度的1/20,并且小于或等于所述第二基礎基板的所述厚度的1/2。
8.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,
在所述像素生成的光在所述第一部分與所述第二部分之間的交界面被反射。
9.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述像素區域包括生成第一光的發光元件。
10.根據權利要求9所述的顯示裝置,其中,
所述光轉換層包括:
第一光轉換層,將所述第一光轉換為第二光;
第二光轉換層,將所述第一光轉換為第三光;以及
透光層,使所述第一光透射。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





