[發(fā)明專利]一種晶硅電池?zé)嵴T導(dǎo)裂片方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010196306.4
• 申請日: 2020-03-19
• 公開（公告）號: CN111370536A
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周華明;黃世亮;郭志球;金浩
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 劉翠香

1.一種晶硅電池?zé)嵴T導(dǎo)裂片方法，其特征在于，包括：

制作具有應(yīng)力誘導(dǎo)槽的硅片；

將所述具有所述應(yīng)力誘導(dǎo)槽的硅片制作成電池片；

對所述電池片進(jìn)行熱誘導(dǎo)，沿所述電池片的應(yīng)力誘導(dǎo)槽的方向解離實(shí)現(xiàn)裂片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶硅電池?zé)嵴T導(dǎo)裂片方法，其特征在于，所述制作具有應(yīng)力誘導(dǎo)槽的硅片包括：

對硅棒切方或硅錠開方后的方棒的側(cè)面沿豎直方向開設(shè)應(yīng)力誘導(dǎo)槽；

將開設(shè)有所述應(yīng)力誘導(dǎo)槽的方棒切片，形成具有應(yīng)力誘導(dǎo)槽的硅片。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶硅電池?zé)嵴T導(dǎo)裂片方法，其特征在于，所述制作具有應(yīng)力誘導(dǎo)槽的硅片包括：

將硅片堆垛起來形成方柱體；

在所述方柱體的側(cè)面開設(shè)應(yīng)力誘導(dǎo)槽。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的晶硅電池?zé)嵴T導(dǎo)裂片方法，其特征在于，所述制作具有應(yīng)力誘導(dǎo)槽的硅片為：

制作相對的兩側(cè)均具有應(yīng)力誘導(dǎo)槽的硅片。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的晶硅電池?zé)嵴T導(dǎo)裂片方法，其特征在于，所述制作具有應(yīng)力誘導(dǎo)槽的硅片為：

制作具有U型或者V型應(yīng)力誘導(dǎo)槽的硅片。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的晶硅電池?zé)嵴T導(dǎo)裂片方法，其特征在于，所述制作具有應(yīng)力誘導(dǎo)槽的硅片為：

制作具有深度為1mm至10mm的應(yīng)力誘導(dǎo)槽的硅片。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的晶硅電池?zé)嵴T導(dǎo)裂片方法，其特征在于，利用銑刀加工、激光加工、水刀加工、金剛石砂輪切割或者掩膜化學(xué)腐蝕的方式制作所述應(yīng)力誘導(dǎo)槽。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的晶硅電池?zé)嵴T導(dǎo)裂片方法，其特征在于，所述對所述電池片進(jìn)行熱誘導(dǎo)為：

對所述電池片進(jìn)行激光熱誘導(dǎo)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶硅電池?zé)嵴T導(dǎo)裂片方法，其特征在于，所述制作具有應(yīng)力誘導(dǎo)槽的硅片包括：

在所述硅片的一個表面的n等分的位置制作與硅片邊長相等的預(yù)制淺槽。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶硅電池?zé)嵴T導(dǎo)裂片方法，其特征在于，所述預(yù)制淺槽的深度為所述硅片的厚度的20％至40％。