[發明專利]一種多晶或非晶基底上制備原子層熱電堆薄膜的方法在審
| 申請號： | 202010196210.8 | 申請日： | 2020-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN111334760A | 公開（公告）日： | 2020-06-26 |
| 發明（設計）人： | 陶伯萬;賀冠園;費希;夏濤;趙睿鵬 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | C23C14/30 | 分類號： | C23C14/30;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/24;C23C14/16;G01J5/12;G01K17/00 |
| 代理公司： | 電子科技大學專利中心 51203 | 代理人： | 閆樹平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多晶 基底 制備 原子 熱電 薄膜 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種多晶或非晶基底上制備原子層熱電堆薄膜的方法，具體步驟如下：
步驟1、對基底表面進行平坦化處理，面均方根粗糙度RMS≤2nm，基底為多晶或非晶；
步驟2、在步驟1所得經過平坦化處理的基底表面，運用IBAD法制備10-20nm厚的MgO薄膜，其中離子入射方向和MgO粒子入射方向在同一平面內，二者夾角保持為40°～55°；
步驟3、在經過步驟2處理的IBAD-MgO表面外延100-150nm厚的MgO薄膜；
步驟4、在經過步驟3外延MgO薄膜處理的表面生長厚度50-500nm的YBa2Cu3O7-δ薄膜。
2.如權利要求1所述多晶或非晶基底上制備原子層熱電堆薄膜的方法，其特征在于：所述步驟1通過拋光或溶液沉積平坦化方法處理表面粗糙度。
3.如權利要求1所述多晶或非晶基底上制備原子層熱電堆薄膜的方法，其特征在于：所述IBAD法入射離子和MgO粒子入射夾角為45°。
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