[發明專利]光阻玻璃芯片全自動腐蝕工藝

在審

• 申請號: 202010196193.8
• 申請日: 2020-03-19
• 公開（公告）號: CN111341656A
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發明（設計）人: 黃小鋒;屠星宇
• 申請（專利權）人: 常州星海電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/308;H01L21/02
• 代理公司: 常州市華信天成專利代理事務所(普通合伙) 32294
• 代理人: 何學成

1.光阻玻璃芯片全自動腐蝕工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S1，設定開溝深度：在控制系統上預先設定開溝深度；

S2，計算開溝時間：根據腐蝕液的腐蝕速率和待開溝深度，計算開溝時間；

S3，溝槽腐蝕：將限定有基片的支架浸沒在裝有腐蝕液的腐蝕槽中；

S4，溢流沖洗：將限定有基片的支架提起并設置在溢流槽內，溢流槽中清洗液沖洗吸附在基片上的腐蝕液，將已開溝深度暴露出；

S5，溝深測定：機械臂從支架上抽取一待測基片，將待測基片設置在光學顯微鏡進行檢測，具體將待測基片置于載片玻璃上，載片平臺快速平移，激光測得多個距離的極大值H，極小值h，并計算溝深

S6，基片轉移：若S5溝深測定中溝深符合設定的開溝深度，機械臂將測定基片復位，并將裝有基片的支架轉移至下一工序；若S5溝深測定中溝深未達到設定的開溝深度，機械臂將測定基片復位，并將裝有基片的支架轉移至腐蝕槽中，重復步驟S2，直至溝深符合設定要求。

2.如權利要求1所述的光阻玻璃芯片全自動腐蝕工藝，其特征在于：所述S3溝槽腐蝕中的腐蝕槽包括裝有高濃度粗腐蝕液的粗腐蝕槽、裝有腐蝕速率較低的精腐蝕液的精腐蝕槽，根據腐蝕液的腐蝕特性，計算S2開溝時間。

3.如權利要求2所述的光阻玻璃芯片全自動腐蝕工藝，其特征在于：所述S3溝槽腐蝕操作時，將限定有基片的支架浸沒在裝有粗腐蝕液的粗腐蝕槽中，先腐蝕一段時間，再將經過初步腐蝕的基片支架轉移至裝有精腐蝕液的精腐蝕槽中；

所述S6基片轉移操作中，當S5溝深測定的中溝深未達到設定的開溝深度，機械臂將測定基片復位，并將裝有基片的支架轉移至精腐蝕槽中，重復S2計算開溝時間、S3溝槽腐蝕、S4溢流沖洗、S5溝深測定，直至溝深符合設定要求。

4.如權利要求2所述的光阻玻璃芯片全自動腐蝕工藝，其特征在于：所述粗腐蝕液由下述體積百分比的組分制成：30—50份38％～42％的氫氟酸，30—40份65％～70％的硝酸，5—10份99.9％的冰乙酸，5—15份96％～98％的硫酸，1—5份的飽和氟鹽溶液；

所述精腐蝕液由下述體積百分比的組分制成：25—30份38％～42％的氫氟酸，25—30份65％～70％的硝酸，30—40份99.9％的冰乙酸，10—15份96％～98％的硫酸。