[發(fā)明專利]顯示面板及包括該顯示面板的顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010196170.7 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111725259A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-09-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李正浩;金旼柱;金元浩;李根洙;蔡敬贊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 宋穎娉;康泉 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 包括 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,包括:
基板,包括第一區(qū)域、第二區(qū)域以及位于所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間的第三區(qū)域;
顯示層,包括位于所述第二區(qū)域中的像素電路和電連接至所述像素電路的顯示元件,所述顯示元件包括像素電極、對(duì)電極以及位于所述像素電極和所述對(duì)電極之間并且包括發(fā)射層和至少一個(gè)有機(jī)層的中間層;
位于所述第三區(qū)域中的第一金屬層;
位于所述第一金屬層上并包括至少一個(gè)接觸部分的有機(jī)絕緣層;以及
位于所述有機(jī)絕緣層上并通過(guò)所述至少一個(gè)接觸部分接觸所述第一金屬層的第二金屬層,
其中所述第二金屬層具有第一孔,并且所述有機(jī)絕緣層具有對(duì)應(yīng)于所述第一孔的第二孔或第一凹部,并且
位于所述第二孔或所述第一凹部中并包括所述至少一個(gè)有機(jī)層的一部分的殘留層與所述第一金屬層重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,進(jìn)一步包括位于所述第一金屬層和所述有機(jī)絕緣層之間的無(wú)機(jī)絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其中所述第二孔暴露所述無(wú)機(jī)絕緣層的頂表面的至少一部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其中所述第二孔延伸至所述無(wú)機(jī)絕緣層中并且暴露所述第一金屬層的頂表面的至少一部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其中所述至少一個(gè)接觸部分具有限定在所述有機(jī)絕緣層中的第一開(kāi)口和限定在所述無(wú)機(jī)絕緣層中的第二開(kāi)口,并且所述第一金屬層和所述第二金屬層通過(guò)所述至少一個(gè)接觸部分彼此連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其中所述像素電路包括電連接至所述顯示元件的薄膜晶體管和存儲(chǔ)電容器,并且
所述第二金屬層包括與將所述顯示元件連接至所述薄膜晶體管的接觸金屬層的材料相同的材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板,其中所述薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、與所述半導(dǎo)體層重疊的柵電極以及電連接至所述半導(dǎo)體層的連接電極,并且
所述第一金屬層包括與所述連接電極的材料相同的材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,進(jìn)一步包括在第一方向上延伸并且被配置為將數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸?shù)剿鲲@示元件的數(shù)據(jù)線,
其中所述數(shù)據(jù)線包括與所述第一金屬層和所述第二金屬層中的至少一個(gè)的材料相同的材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其中所述至少一個(gè)有機(jī)層包括空穴傳輸層、空穴注入層、電子注入層和電子傳輸層中的一個(gè)或多個(gè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,進(jìn)一步包括:
位于所述第三區(qū)域中并圍繞所述第一區(qū)域的間隔壁;以及
各自包括所述第一孔和所述第二孔或所述第一凹部的至少一個(gè)凹槽,
其中所述至少一個(gè)凹槽包括位于所述間隔壁的靠近所述第二區(qū)域的一側(cè)的第一凹槽和位于所述間隔壁的靠近所述第一區(qū)域的一側(cè)的第二凹槽。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示面板,其中所述第一金屬層位于所述第一凹槽的下方。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示面板,其中所述第一金屬層與所述第一凹槽和所述第二凹槽中的每一個(gè)重疊,并且不連續(xù)地位于所述第一凹槽和所述第二凹槽中的每一個(gè)的下方。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示面板,其中所述第一金屬層位于所述第一凹槽、所述間隔壁和所述第二凹槽的下方。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示面板,其中所述至少一個(gè)凹槽進(jìn)一步包括比所述第二凹槽更靠近所述第一區(qū)域定位的第三凹槽,并且
所述第一凹槽和所述第二凹槽中每一個(gè)的基于所述有機(jī)絕緣層的頂表面限定的深度小于所述第三凹槽的深度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





