[發(fā)明專利]晶圓卡盤溫度量測(cè)及溫度校準(zhǔn)的方法和溫度量測(cè)系統(tǒng)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010196028.2
• 申請(qǐng)日: 2020-03-19
• 公開（公告）號(hào): CN113432737A
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢仕兵;林仕杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G01K1/14
• 分類號(hào): G01K1/14;G01K15/00;G01R31/26;G01R31/00
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 虞凌霄

1.一種晶圓卡盤溫度量測(cè)的方法,其特征在于，所述方法包括：

提供熱源，所述熱源上設(shè)有晶圓卡盤，將測(cè)試晶圓放置在所述晶圓卡盤上，所述測(cè)試晶圓上形成有電性參數(shù)隨溫度具有函數(shù)變化的多個(gè)半導(dǎo)體器件；

控制所述熱源使所述晶圓卡盤的溫度達(dá)到設(shè)定溫度；

對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行量測(cè)，獲取所述半導(dǎo)體器件對(duì)應(yīng)的電性參數(shù)；

根據(jù)所述電性參數(shù)和所述電性參數(shù)隨溫度的函數(shù)變化獲取所述半導(dǎo)體器件的實(shí)際溫度；

根據(jù)所述半導(dǎo)體器件的實(shí)際溫度，獲取所述晶圓卡盤的實(shí)際溫度分布；

其中，所述設(shè)定溫度大于等于所述半導(dǎo)體器件所能承受的最小臨界溫度且小于等于所述半導(dǎo)體器件所能承受的最大臨界溫度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括大于等于一種隨溫度具有函數(shù)變化的電性參數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述設(shè)定溫度包括第一設(shè)定溫度和第二設(shè)定溫度；

所述對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行量測(cè)，獲取所述半導(dǎo)體器件對(duì)應(yīng)的電性參數(shù)的步驟包括：

在第一設(shè)定溫度下，分別量測(cè)測(cè)試晶圓上的B個(gè)半導(dǎo)體器件的電性參數(shù)獲取第一組參數(shù)；

在第二設(shè)定溫度下，分別量測(cè)測(cè)試晶圓上的C個(gè)半導(dǎo)體器件的電性參數(shù)獲取第二組參數(shù)；

所述根據(jù)所述電性參數(shù)和所述電性參數(shù)隨溫度的函數(shù)變化獲取所述半導(dǎo)體器件的實(shí)際溫度的步驟包括：

根據(jù)所述第一組參數(shù)獲取所述B個(gè)半導(dǎo)體器件對(duì)應(yīng)的實(shí)際溫度；

根據(jù)所述第二組參數(shù)獲取所述C個(gè)半導(dǎo)體器件對(duì)應(yīng)的實(shí)際溫度；

所述根據(jù)所述半導(dǎo)體器件的實(shí)際溫度，獲取所述晶圓卡盤的實(shí)際溫度分布的步驟包括：

根據(jù)所述B個(gè)半導(dǎo)體器件的實(shí)際溫度，獲取所述晶圓卡盤的實(shí)際溫度的第一分布；

根據(jù)所述C個(gè)半導(dǎo)體器件的實(shí)際溫度，獲取所述晶圓卡盤的實(shí)際溫度的第二分布；

其中，所述測(cè)試晶圓上具有A個(gè)半導(dǎo)體器件，A為大于等于2的整數(shù)，B和C均為大于等于2且小于等于A的整數(shù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一組參數(shù)和/或所述第二組參數(shù)包括大于等于一種隨溫度具有函數(shù)變化的電性參數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述B個(gè)半導(dǎo)體器件或/和所述C個(gè)半導(dǎo)體器件為所述測(cè)試晶圓中心區(qū)域的半導(dǎo)體器件。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，控制所述熱源使所述晶圓卡盤的溫度達(dá)到設(shè)定溫度之前還包括：

提供量測(cè)裝置的步驟，所述量測(cè)裝置具有量測(cè)探針，所述量測(cè)探針靠近所述測(cè)試晶圓。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行量測(cè)之前還包括：

獲取各所述半導(dǎo)體器件在所述測(cè)試晶圓上的位置坐標(biāo)，并將所述位置坐標(biāo)存儲(chǔ)在所述量測(cè)裝置中，所述量測(cè)裝置根據(jù)所述位置坐標(biāo)調(diào)整所述量測(cè)探針的位置。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件至少包括雙極結(jié)型晶體管器件、電阻器件、場(chǎng)效應(yīng)管器件中的一種。

9.一種晶圓卡盤溫度校準(zhǔn)的方法，其特征在于，包括進(jìn)行晶圓卡盤溫度量測(cè)的步驟，所述晶圓卡盤溫度量測(cè)采用如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的晶圓卡盤溫度量測(cè)的方法，所述溫度校準(zhǔn)的方法還包括：

根據(jù)所述晶圓卡盤的實(shí)際溫度分布對(duì)熱源進(jìn)行調(diào)整，使得在所述晶圓卡盤的溫度達(dá)到設(shè)定溫度時(shí)半導(dǎo)體器件的實(shí)際溫度趨于所述設(shè)定溫度。