[發(fā)明專利]校溫片及其應(yīng)用方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010195361.1
• 申請(qǐng)日: 2020-03-19
• 公開（公告）號(hào): CN113496910A
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林仕杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;高翠花

本發(fā)明提供一種校溫片及其應(yīng)用方法，所述校溫片包括本體及設(shè)置在所述本體內(nèi)的多個(gè)測(cè)試鍵，所述測(cè)試鍵具有一與設(shè)定電流對(duì)應(yīng)的電壓?溫度特性曲線，通過(guò)檢測(cè)所述測(cè)試鍵的電壓獲得所述測(cè)試鍵的溫度。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，校溫片能夠模擬晶圓的狀態(tài)，測(cè)試鍵的側(cè)壁并未暴露在空氣中，所述校溫片設(shè)置在半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)上的狀態(tài)與晶圓設(shè)置在半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)上的狀態(tài)相同，因此，所述校溫片的溫度能夠真實(shí)反應(yīng)所述晶圓設(shè)置在半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)上時(shí)的溫度情況，其能夠?qū)Π雽?dǎo)體機(jī)臺(tái)進(jìn)行精確校溫。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種校溫片及其應(yīng)用方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體的制造工藝中，通常需要在半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)上進(jìn)行高溫或者低溫工藝。溫度對(duì)半導(dǎo)體制程有很大影響，特別是對(duì)溫度敏感的工藝，溫度的影響不可忽略，因此，機(jī)臺(tái)的溫度校準(zhǔn)非常重要。

現(xiàn)有半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)校溫的方法是，在半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)上放置單個(gè)或者多個(gè)校溫器，給予半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)校溫，以確保半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的溫度達(dá)到設(shè)定溫度及晶圓在半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)各處溫度的一致性。現(xiàn)有的校溫器通常為溫度傳感器，圖1是溫度傳感器應(yīng)用在半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)上進(jìn)行校溫的示意圖，請(qǐng)參閱圖1，多個(gè)溫度傳感器10設(shè)置在半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)1上，所述溫度傳感器10的底面與半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)1接觸，所述溫度傳感器10的頂面及側(cè)壁暴露在空氣中。

該種校溫方法的缺點(diǎn)在于：一、由于溫度傳感器10的體積較大，設(shè)置分散，其側(cè)壁及頂面均暴露在空氣中，空氣對(duì)溫度傳感器10的測(cè)量有很大的影響，而當(dāng)晶圓設(shè)置在半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)上時(shí)，晶圓上的芯片僅頂面暴露于空氣中，側(cè)壁并未暴露在空氣中，因此，溫度傳感器10無(wú)法反應(yīng)晶圓在同等情況下的溫度情況；二、受限于溫度傳感器10的數(shù)量，測(cè)量不全面，只能測(cè)量某些點(diǎn)的溫度，無(wú)法提供半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的溫度分布。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種校溫片及其應(yīng)用方法。

為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種校溫片，其包括本體及設(shè)置在所述本體內(nèi)的多個(gè)測(cè)試鍵(testkey)，所述測(cè)試鍵具有一與設(shè)定電流對(duì)應(yīng)的電壓-溫度特性曲線，通過(guò)檢測(cè)所述測(cè)試鍵的電壓獲得所述測(cè)試鍵的溫度。

進(jìn)一步，所述測(cè)試鍵選自于雙極結(jié)型晶體管、電阻器及金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的一種。

進(jìn)一步，所述校溫片的面積大于或者等于半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的需要校溫的區(qū)域的面積。

進(jìn)一步，在所述本體內(nèi)設(shè)置有多個(gè)曝光單元，每一所述曝光單元內(nèi)設(shè)置有至少一所述測(cè)試鍵。

進(jìn)一步，所述本體為一晶圓。

進(jìn)一步，每一所述曝光單元內(nèi)設(shè)置有至少一芯片，所述測(cè)試鍵設(shè)置在所述芯片中，或者設(shè)置在芯片之間的切割道上。。

進(jìn)一步，在所述校溫片上，所述測(cè)試鍵的分布為：所述測(cè)試鍵與需要進(jìn)行校溫的校溫點(diǎn)的關(guān)系為一對(duì)一，或者一對(duì)多。

進(jìn)一步，所述電壓-溫度特性曲線為一次函數(shù)曲線。

進(jìn)一步，所述測(cè)試鍵為同種類型器件。

本發(fā)明還提供一種如上所述的校溫片的應(yīng)用方法，其包括如下步驟：將所述校溫片置于半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)上，所述校溫片覆蓋所述半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)需要校溫的區(qū)域；向所述校溫片上的測(cè)試鍵(testkey)通電，通電電流為所述設(shè)定電流；測(cè)量預(yù)先設(shè)定的校溫點(diǎn)對(duì)應(yīng)的測(cè)試鍵的電壓，獲得所述測(cè)試鍵的溫度，所述溫度作為所述校溫點(diǎn)的溫度。

進(jìn)一步，測(cè)量每一所述測(cè)試鍵的電壓，獲得每一所述測(cè)試鍵的溫度，進(jìn)而獲得所述半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)需要校溫的區(qū)域的溫度分布。

進(jìn)一步，在將所述校溫片置于半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)上的步驟之前，所述應(yīng)用方法還包括如下步驟：獲取所述測(cè)試鍵的電壓-溫度特性曲線。