[發明專利]有機發光二極管顯示面板在審
| 申請號: | 202010194976.2 | 申請日: | 2020-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN111211155A | 公開(公告)日: | 2020-05-29 |
| 發明(設計)人: | 陳俊 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 刁文魁 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示 面板 | ||
本申請公開了一種有機發光二極管顯示面板。本申請通過將四個顯示面板由上而下依次層疊設置,每個顯示面板上的發光方向一致且四個顯示面板上的子像素間隔分布互不重疊,使得有機發光二極管顯示面板在不提高掩模板像素密度也不提高陣列層元件密度的情況下,能夠將屏幕的分辨率增加三倍。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,尤其涉及一種有機發光二極管顯示面板。
背景技術
近年來,OLED(Organic Light Emitting Diode,有機發光二極管)顯示技術發展突飛猛進,OLED產品由于具有輕薄、響應快、高對比度、可彎折等優點,受到了越來越多的關注和應用,主要應用在手機、平板、電視等顯示領域。
目前主流的OLED屏為2K屏,顯示屏總是朝著分辨率越來越高的方向發展,而OLED屏由于陣列層非常復雜,其中RGB蒸鍍型OLED屏還需要使用精細掩模板,提高像素密度較為困難成本也較高。
因此,亟需一種新的顯示面板設計方案以提高像素的密度。
發明內容
本申請實施例提供一種有機發光二極管顯示面板,能夠有效解決顯示面板像提高素密度成本也較高及需要使用精細掩模版的問題。
本申請實施例提供一種有機發光二極管顯示面板,其包括:由上而下依次層疊設置的一第一顯示面板、一第二顯示面板、一第三顯示面板以及一第四顯示面板;其中所述第一顯示面板、所述第二顯示面板、所述第三顯示面板以及所述第四顯示面板均包括間隔排列的多個子像素;所述第一顯示面板、所述第二顯示面板、所述第三顯示面板以及所述第四顯示面板的發光方向為一致,且所述第一顯示面板、所述第二顯示面板、所述第三顯示面板以及所述第四顯示面板具有透光性。
進一步地,所述子像素在水平面上的正投影均互不重疊。
進一步地,所述第四顯示面板包括:一第四薄膜封裝層;一反射陰極層,設置于所述第四薄膜封裝層上;一第四OLED層,設置于所述反射陰極層上;一第四陣列層,設置于所述第四OLED層上;以及一第二透光基板,設置于所述第四陣列層上。
進一步地,所述第三顯示面板包括:一第三陣列層,設置于所述第二透光基板上;一第三OLED層,設置于所述第三陣列層上;一第三半透明陰極層,設置于所述第三OLED層上;以及一第三薄膜封裝層,設置于所述第三半透明陰極層上。
進一步地,所述第四陣列層和所述第三陣列層中均設有透明陽極層。
進一步地,所述第二顯示面板包括:一第二薄膜封裝層;一第二半透明陰極層,設置于所述第二薄膜封裝層上;一第二OLED層,設置于所述第二半透明陰極層上;一第二陣列層,設置于所述第二OLED層上;以及一第一透光基板,設置于所述第二陣列層上。
進一步地,所述第一顯示面板包括:一第一陣列層,設置于所述第一透光基板上;一第一OLED層,設置于所述第一陣列層上;一第一半透明陰極層,設置于所述第一OLED層上;以及一第一薄膜封裝層,設置于所述第一半透明陰極層上。
進一步地,所述第二陣列層和所述第一陣列層中均設有透明陽極層。
進一步地,所述子像素包括依次間隔排列第一子像素、第二子像素以及第三子像素。
進一步地,所述第二顯示面板與所述第三顯示面板之間夾設有一光學膠層。
本申請的優點在于,相較于現有技術,本申請通過將四個顯示面板由上而下依次層疊設置,每個顯示面板上的發光方向一致且四個顯示面板上的子像素間隔分布互不重疊,使得有機發光二極管顯示面板在不提高掩模板像素密度(或者不使用高精度金屬掩模板Fine Metal Mask,簡稱FMM)也不提高陣列層元件密度的情況下,能夠將屏幕的分辨率增加三倍。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





