[發明專利]一種分層微/納米結構的表面增強拉曼底物的制備方法有效
| 申請號： | 202010194555.X | 申請日： | 2020-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN111175284B | 公開（公告）日： | 2022-06-07 |
| 發明（設計）人： | 李曉紅;程輝;李國強;肖林;方佳浩;唐曉軒;馬浩宇;李青山;譚詩瑩 | 申請（專利權）人： | 西南科技大學 |
| 主分類號： | G01N21/65 | 分類號： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 成都中璽知識產權代理有限公司 51233 | 代理人： | 邢偉;張敏 |
| 地址： | 621000 四川省綿*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 分層 納米 結構 表面 增強 拉曼底物 制備 方法 | ||
1.一種具有分層微/納米結構的表面增強拉曼底物的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：
利用納秒到飛秒的激光脈沖點動照射硅基體或二氧化硅基體表面，以形成微坑陣列，所述微坑陣列中每個微坑的直徑為10～20μm，且任意兩個相鄰微坑的外邊緣之間的距離不超過所述直徑的1/6，所述微坑陣列具有粒徑為30～100nm的多個納米凸起點；
對具有所述微坑陣列的硅基體或二氧化硅基體進行清洗并干燥；
隨后，在硅基體或二氧化硅基體的具有微坑陣列的區域磁控濺射沉積形成厚度為40～300nm的銀薄膜，得到具有分層微/納米結構的表面增強拉曼底物；
其中，所述銀薄膜沉積在微坑陣列的表面上，同時能夠包裹構成微坑陣列表面的一部分的所述多個納米凸起點，銀包裹納米凸起點所形成的納米顆粒，其內核為硅或二氧化硅外表面為銀膜。
2.根據權利要求1所述的具有分層微/納米結構的表面增強拉曼底物的制備方法，其特征在于，所述微坑陣列中的每個微坑對應的納秒到飛秒的激光脈沖的脈沖數在8～40的范圍選擇。
3.根據權利要求2所述的具有分層微/納米結構的表面增強拉曼底物的制備方法，其特征在于，所述納秒到飛秒的激光脈沖的功率為3～10mW。
4.根據權利要求1所述的具有分層微/納米結構的表面增強拉曼底物的制備方法，其特征在于，所述微坑陣列中每個微坑的直徑為13～17μm，且任意兩個相鄰微坑的外邊緣之間的距離在零至所述直徑的1/10，所述納米凸起點的粒徑為65～85nm。
5.根據權利要求1所述的具有分層微/納米結構的表面增強拉曼底物的制備方法，其特征在于，所述銀薄膜的厚度為100～180nm。
6.根據權利要求1所述的具有分層微/納米結構的表面增強拉曼底物的制備方法，其特征在于，所述清洗步驟分別通過有機清洗劑和超純水進行清洗。
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