[發明專利]一種功率放大器的過壓保護及增益自舉電路

在審

• 申請號: 202010192892.5
• 申請日: 2020-03-18
• 公開（公告）號: CN111293997A
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: 彭振飛;蘇強;向坤
• 申請（專利權）人: 廣州慧智微電子有限公司
• 主分類號: H03F3/20
• 分類號: H03F3/20;H03F1/30
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 賈偉;張穎玲

1.一種功率放大器的過壓保護及增益自舉電路，其特征在于，所述電路包括功率放大管和二極管，所述二極管反接于所述功率放大管的柵極；其中，

所述二極管的負極與所述功率管的柵極連接，所述二極管的正極與恒定電壓源連接，通過控制所述二極管的導通狀態以實現所述電路的過壓保護和增益自舉作用。

2.根據權利要求1所述的過壓保護及增益自舉電路，其特征在于，所述功率放大管采用共源級結構。

3.根據權利要求1所述的過壓保護及增益自舉電路，其特征在于，當所述恒定電壓源的輸出電壓與所述功率放大管的柵極電壓之間的壓差大于所述二極管的導通電壓時，確定所述二極管處于正向導通狀態。

4.根據權利要求3所述的過壓保護及增益自舉電路，其特征在于，當所述二極管處于正向導通狀態時，控制所述功率放大管的柵極電壓鉗位至所述恒定電壓源的輸出電壓，以實現所述電路的過壓保護作用。

5.根據權利要求1所述的過壓保護及增益自舉電路，其特征在于，所述功率放大管的柵極還與偏置電路連接，所述偏置電路用于為所述功率放大管提供偏置電壓。

6.根據權利要求5所述的過壓保護及增益自舉電路，其特征在于，當所述二極管處于正向導通狀態時，所述功率放大管的柵極電壓的直流電壓分量高于所述偏置電路提供的偏置電壓，以實現所述電路的增益自舉作用。

7.根據權利要求5所述的過壓保護及增益自舉電路，其特征在于，當所述二極管處于正向導通狀態時，所述電路在1dB功率壓縮點處的增益升高。

8.根據權利要求1所述的過壓保護及增益自舉電路，其特征在于，所述功率放大管的柵極與射頻信號輸入端連接，所述功率放大管的漏級與射頻信號輸出端連接，所述功率放大管的源級接地，以實現所述射頻信號的功率放大。

9.根據權利要求8所述的過壓保護及增益自舉電路，其特征在于，所述電路還包括第一電容和第二電容；其中，

所述第一電容設置在所述功率放大管的柵極與所述射頻信號輸入端之間，所述第二電容設置在所述功率放大管的漏級與所述射頻信號輸出端之間。

10.根據權利要求8所述的過壓保護及增益自舉電路，其特征在于，所述電路還包括射頻扼流圈，所述射頻扼流圈與所述功率放大管的漏級連接。

11.根據權利要求1-10任一項所述的過壓保護及增益自舉電路，其特征在于，所述功率放大器包括金屬氧化物半導體場效應晶體管。

12.一種功率放大器，其特征在于，所述功率放大器至少包括權利要求1-11任一項所述的過壓保護及增益自舉電路。

13.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備至少包括如權利要求12所述的功率放大器。