[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器及其形成方法、存儲(chǔ)器單元陣列及其驅(qū)動(dòng)方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010192701.5
• 申請日: 2020-03-18
• 公開（公告）號: CN111341776A
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 于濤
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517;H01L27/11519;H01L27/11521;G11C11/4063
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

一種存儲(chǔ)器及其形成方法、存儲(chǔ)器單元陣列及其驅(qū)動(dòng)方法，其中存儲(chǔ)器包括：基底，所述基底包括相鄰且分離的第一存儲(chǔ)區(qū)和第二存儲(chǔ)區(qū)；位于所述第一存儲(chǔ)區(qū)和第二存儲(chǔ)區(qū)之間基底內(nèi)的源區(qū)；位于所述第一存儲(chǔ)區(qū)和第二存儲(chǔ)區(qū)兩側(cè)的基底內(nèi)的第一漏區(qū)和第二漏區(qū)；位于所述第一存儲(chǔ)區(qū)上的第一存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，所述第一存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)包括：第一存儲(chǔ)單元和第二存儲(chǔ)單元、以及位于第一存儲(chǔ)單元和第二存儲(chǔ)單元之間的第一字線柵；位于所述第二存儲(chǔ)區(qū)上的第二存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，所述第二存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)包括：第三存儲(chǔ)單元和第四存儲(chǔ)單元、以及位于第三存儲(chǔ)單元和第四存儲(chǔ)單元之間的第二字線柵。所述存儲(chǔ)器的性能得到提升。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲(chǔ)器及其形成方法、存儲(chǔ)器單元陣列及其驅(qū)動(dòng)方法。

背景技術(shù)

在目前的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，集成電路產(chǎn)品主要可分為三大類型：模擬電路、數(shù)字電路和數(shù)/模混合電路，其中，存儲(chǔ)器是數(shù)字電路中的一個(gè)重要類型。而在存儲(chǔ)器中，近年來快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory，簡稱閃存)的發(fā)展尤為迅速。閃存的主要特點(diǎn)是在不加電的情況下能長期保持存儲(chǔ)信息，且具有集成度高、存儲(chǔ)速度快、易于擦除和重寫等優(yōu)點(diǎn)，因此，在微機(jī)、自動(dòng)化控制等多項(xiàng)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

快閃存儲(chǔ)器分為兩種類型：疊柵(stack gate)快閃存儲(chǔ)器和分柵(split gate)快閃存儲(chǔ)器。疊柵快閃存儲(chǔ)器具有浮柵和位于浮柵的上方的控制柵。疊柵快閃存儲(chǔ)器存在過擦除的問題。與疊柵快閃存儲(chǔ)器不同的是，分柵快閃存儲(chǔ)器在浮柵的一側(cè)形成作為擦除柵極的字線。分柵快閃存儲(chǔ)器能有效的避免過擦除效應(yīng)。

然而，現(xiàn)有的分柵快閃存儲(chǔ)器的性能較差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的技術(shù)問題是提供一種存儲(chǔ)器及其形成方法、存儲(chǔ)器單元陣列及其驅(qū)動(dòng)方法，以提高存儲(chǔ)器的性能。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種存儲(chǔ)器，包括：基底，所述基底包括相鄰且分離的第一存儲(chǔ)區(qū)和第二存儲(chǔ)區(qū)；位于所述第一存儲(chǔ)區(qū)和第二存儲(chǔ)區(qū)之間基底內(nèi)的源區(qū)；位于所述第一存儲(chǔ)區(qū)和第二存儲(chǔ)區(qū)兩側(cè)的基底內(nèi)的第一漏區(qū)和第二漏區(qū)；位于所述第一存儲(chǔ)區(qū)上的第一存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，所述第一存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)包括：第一存儲(chǔ)單元和第二存儲(chǔ)單元、以及位于第一存儲(chǔ)單元和第二存儲(chǔ)單元之間的第一字線柵；位于所述第二存儲(chǔ)區(qū)上的第二存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，所述第二存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)包括：第三存儲(chǔ)單元和第四存儲(chǔ)單元、以及位于第三存儲(chǔ)單元和第四存儲(chǔ)單元之間的第二字線柵。

可選的，還包括：位于源區(qū)上、以及第一存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)和第二存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)之間的源線，且所述源線和源區(qū)電連接。

可選的，還包括：位于所述第一漏區(qū)上的第一插塞，且所述第一插塞與所述第一漏區(qū)電連接；位于所述第二漏區(qū)上的第二插塞，且所述第二插塞與所述第二漏區(qū)電連接。

可選的，所述第一存儲(chǔ)單元靠近第一漏區(qū)；所述第二存儲(chǔ)單元靠近源區(qū)。

可選的，所述第三存儲(chǔ)單元靠近第二漏區(qū)；所述第四存儲(chǔ)單元靠近源區(qū)。

可選的，所述第一存儲(chǔ)單元包括：位于第一存儲(chǔ)區(qū)部分表面的第一浮柵極結(jié)構(gòu)、以及位于所述第一浮柵極結(jié)構(gòu)表面的第一控制柵結(jié)構(gòu)；所述第二存儲(chǔ)單元包括：位于第一存儲(chǔ)區(qū)部分表面的第二浮柵極結(jié)構(gòu)、以及位于所述第二浮柵極結(jié)構(gòu)表面的第二控制柵結(jié)構(gòu)。

可選的，所述第三存儲(chǔ)單元包括：位于第二存儲(chǔ)區(qū)部分表面的第三浮柵極結(jié)構(gòu)、以及位于所述第三浮柵極結(jié)構(gòu)表面的第三控制柵結(jié)構(gòu)；所述第四存儲(chǔ)單元包括：位于第二存儲(chǔ)區(qū)部分表面的第四浮柵極結(jié)構(gòu)、以及位于所述第四浮柵極結(jié)構(gòu)表面的第四控制柵結(jié)構(gòu)。

可選的，所述第一存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)還包括：分別位于第一控制柵結(jié)構(gòu)頂部表面和第二控制柵結(jié)構(gòu)頂部表面的第一側(cè)墻；所述第二存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)還包括：分別位于第三控制柵結(jié)構(gòu)頂部表面和第四控制柵結(jié)構(gòu)頂部表面的第二側(cè)墻。