[發明專利]一種晶體定向方法及裝置在審
| 申請號： | 202010192695.3 | 申請日： | 2020-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN111267249A | 公開（公告）日： | 2020-06-12 |
| 發明（設計）人： | 姜小明;郭國聰;劉彬文;徐忠寧;曾卉一 | 申請（專利權）人： | 中國科學院福建物質結構研究所 |
| 主分類號： | B28D5/00 | 分類號： | B28D5/00;B28D7/00;G01N23/2055;G01N23/207 |
| 代理公司： | 北京元周律知識產權代理有限公司 11540 | 代理人： | 校麗麗 |
| 地址： | 350002 福建*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶體 定向 方法 裝置 | ||
1.一種晶體定向方法，其特征在于，所述方法包括：
從待測晶體上切割被測晶體；
獲取所述被測晶體的切割面的晶面指數；
獲取所述待測晶體上切割面與待測面之間的夾角；
根據所述夾角和所述被測晶體的切割面的晶面指數，獲取所述待測晶體上待測面的晶面指數。
2.根據權利要求1所述的晶體定向方法，其特征在于，所述獲取所述被測晶體的切割面的晶面指數具體包括：
獲取所述被測晶體的衍射數據；
根據所述被測晶體的衍射數據，獲取所述被測晶體的晶軸方向；
根據所述被測晶體的晶軸方向和所述被測晶體的幾何形狀，獲取所述被測晶體的切割面的晶面指數。
3.根據權利要求1所述的晶體定向方法，其特征在于，所述根據所述夾角和所述被測晶體的切割面的晶面指數，獲取所述待測晶體上待測面的晶面指數具體為：
當所述待測晶體為立方晶系時，根據第一公式獲取所述待測晶體上待測面的晶面指數；
所述第一公式為：
其中，θ為所述待測晶體上切割面與待測面之間的夾角；h1、k1、l1為所述被測晶體的切割面的晶面指數(h1k1l1)中的具體值；h2、k2、l2為所述待測晶體上待測面的晶面指數(h2k2l2)中的具體值。
4.根據權利要求2所述的晶體定向方法，其特征在于，所述獲取所述被測晶體的衍射數據具體為：
利用單晶衍射儀獲取所述被測晶體的衍射數據。
5.根據權利要求1所述的晶體定向方法，其特征在于，所述獲取所述待測晶體上切割面與待測面之間的夾角具體為：
利用測角器獲取所述待測晶體上切割面與待測面之間的夾角。
6.根據權利要求1所述的晶體定向方法，其特征在于，所述被測晶體的長度、寬度、高度均≤1mm。
7.一種晶體定向裝置，其特征在于，所述裝置包括：
切割單元，用于從待測晶體上切割被測晶體；
第一獲取單元，用于獲取所述被測晶體的切割面的晶面指數；
第二獲取單元，用于獲取所述待測晶體上切割面與待測面之間的夾角；
第三獲取單元，用于根據所述夾角和所述被測晶體的切割面的晶面指數，獲取所述待測晶體上待測面的晶面指數。
8.根據權利要求7所述的晶體定向裝置，其特征在于，所述第一獲取單元具體用于：
獲取所述被測晶體的衍射數據；
根據所述被測晶體的衍射數據，獲取所述被測晶體的晶軸方向；
根據所述被測晶體的晶軸方向和所述被測晶體的幾何形狀，獲取所述被測晶體的切割面的晶面指數。
9.根據權利要求7所述的晶體定向裝置，其特征在于，所述第三獲取單元具體用于：
當所述待測晶體為立方晶系時，根據第一公式獲取所述待測晶體上待測面的晶面指數；
所述第一公式為：
其中，θ為所述待測晶體上切割面與待測面之間的夾角；h1、k1、l1為所述被測晶體的切割面的晶面指數(h1k1l1)中的具體值；h2、k2、l2為所述待測晶體上待測面的晶面指數(h2k2l2)中的具體值。
10.根據權利要求7所述的晶體定向裝置，其特征在于，所述第二獲取單元為測角器。
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