[發明專利]一種基于裸片封裝結構的SiC MOSFET SPICE模型建立方法有效
| 申請號： | 202010192530.6 | 申請日： | 2020-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN111368454B | 公開（公告）日： | 2021-11-23 |
| 發明（設計）人： | 葉雪榮;王浩南;張宏宇;翟國富 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號： | G06F30/20 | 分類號： | G06F30/20;G06F30/39;G06F113/18 |
| 代理公司： | 哈爾濱龍科專利代理有限公司 23206 | 代理人： | 高媛 |
| 地址： | 150001 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 封裝 結構 sic mosfet spice 模型 建立 方法 | ||
1.一種基于裸片封裝結構的SiC MOSFET SPICE模型建立方法，其特征在于：所述方法包括如下步驟：
步驟一、實際測試：使用示波器對測試電路門極和源極間、漏極和源極間的開關波形進行觀察，測量開關的振蕩頻率；
步驟二、基于裸片封裝提取寄生參數：
(1)在ANSYS STATIC STRUCTURE中建立SiC MOSFET的裸片封裝結構模型；
(2)將上述模型導入ANSYS Q3D中，并進行材料設置、類型設置以及每個鍵合絲上電流的進出面設置；
(3)根據步驟一得到的實際測試結果選擇振蕩頻率下的AC RL分析，得到各鍵合絲的電感和電阻矩陣，計算每個鍵合絲在振蕩過程中的等效電感，根據鍵合絲的分布情況，計算在門極和源極間、漏極和源極間上的等效寄生電阻和寄生電感值；
步驟三、SiC MOSFET SPICE建模：
(1)將SiC MOSFET器件手冊提供的輸出特性、傳輸特性、電容特性以及體二極管特性曲線分別導入Saber軟件的ModelArchitect中，通過對各特性曲線的采樣和擬合，完成SiCMOSFET各項參數的設置；
(2)根據器件手冊提供的反向特性參數完善反向恢復電容的建模；
(3)將步驟二提取出來的寄生電阻和寄生電感值填入，完成基于裸片封裝結構的SiCMOSFET SPICE模型建立。
2.根據權利要求1所述的一種基于裸片封裝結構的SiC MOSFET SPICE模型建立方法，其特征在于：步驟一中，所述示波器的采樣精度250M次每秒。
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