[發(fā)明專利]超聲波指紋識別模組、制備方法及電子設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010192497.7 | 申請日: | 2020-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN111460935A | 公開(公告)日: | 2020-07-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉偉 | 申請(專利權(quán))人: | 南昌歐菲生物識別技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | G06K9/00 | 分類號: | G06K9/00;H01L41/18;H01L41/37;H01L41/257 |
| 代理公司: | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 閆曉欣 |
| 地址: | 330029 江西*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 超聲波 指紋識別 模組 制備 方法 電子設(shè)備 | ||
1.一種超聲波指紋識別模組,其特征在于,包括:
基板;以及
壓電復(fù)合層,設(shè)于所述基板上;所述壓電復(fù)合層包括設(shè)于所述基板上的聚合物薄膜層以及分散于所述聚合物薄膜層內(nèi)的壓電陶瓷粉體顆粒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲波指紋識別模組,其特征在于,所述壓電陶瓷粉體顆粒的外徑為0.05μm-5μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超聲波指紋識別模組,其特征在于,所述壓電陶瓷粉體顆粒的外徑為0.1μm-2μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲波指紋識別模組,其特征在于,所述壓電復(fù)合層中,所述壓電陶瓷粉體顆粒的質(zhì)量百分比為1wt%-60wt%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲波指紋識別模組,其特征在于,所述聚合物薄膜層為PVDF層或共聚物層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲波指紋識別模組,其特征在于,所述壓電陶瓷粉體顆粒為鈦酸鋇系壓電陶瓷粉體顆粒、鈦酸鉛系壓電陶瓷粉體顆粒、鋯酸鉛系壓電陶瓷粉體顆粒中的一種或者幾種。
7.一種超聲波指紋識別模組的制備方法,其特征在于,包括步驟:
提供基板以及壓電漿料;其中,所述壓電漿料包括聚合物以及混合在所述聚合物中的壓電陶瓷粉體顆粒;
將所述壓電漿料涂覆在所述基板上,并進行烘干處理,形成壓電復(fù)合層初體;
在所述壓電復(fù)合層初體上形成外電極層,并進行極化處理,得到超聲波指紋識別模組。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的超聲波指紋識別模組的制備方法,其特征在于,在提供基板以及壓電漿料的步驟,提供的壓電漿料中,所述壓電陶瓷粉體顆粒的外徑為0.05μm-5μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的超聲波指紋識別模組的制備方法,其特征在于,提供基板以及壓電漿料的步驟提供的壓電漿料中,所述壓電陶瓷粉體顆粒的外徑為0.1μm-2μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的超聲波指紋識別模組的制備方法,其特征在于,所述壓電漿料中,提供基板以及壓電漿料的步驟提供的壓電漿料中,所述壓電陶瓷粉體顆粒的質(zhì)量百分比為1wt%-60wt%。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的超聲波指紋識別模組的制備方法,其特征在于,提供基板以及壓電漿料的步驟提供的壓電漿料中,所述聚合物為PVDF或共聚物。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的超聲波指紋識別模組的制備方法,其特征在于,提供基板以及壓電漿料的步驟提供的壓電漿料中,所述壓電陶瓷粉體顆粒為鈦酸鋇系壓電陶瓷粉體顆粒、鈦酸鉛系壓電陶瓷粉體顆粒、鋯酸鉛系壓電陶瓷粉體顆粒中的一種或者幾種。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的超聲波指紋識別模組的制備方法,其特征在于,在進行烘干處理的步驟中,烘干溫度為150℃-250℃,烘干時間為0.5h-6h。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的超聲波指紋識別模組的制備方法,其特征在于,在進行極化處理的步驟中,極化電壓為3kV/mm-10kV/mm,極化溫度100℃-250℃,極化時間為30分鐘-120分鐘。
15.一種電子設(shè)備,其特征在于,包括權(quán)利要求1至6任一項所述的超聲波指紋識別模組。
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