[發明專利]一種新型低維鈣鈦礦薄膜的制備方法

在審

• 申請號: 202010192468.0
• 申請日: 2020-03-18
• 公開（公告）號: CN111403609A
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發明（設計）人: 郭麗玲;陳南豪;甘小燕;趙文慧;黃佩;許田野;劉韓星
• 申請（專利權）人: 武漢理工大學
• 主分類號: H01L51/48
• 分類號: H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 唐萬榮

1.一種低維鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1)鈣鈦礦薄膜的制備

手套箱中在襯底上旋涂含Pb⁺前驅體溶液，退火處理，即可在襯底表面制備得到鈣鈦礦薄膜；所述含Pb⁺前驅體溶液按以下方式制備而來：

將碘丙胺(PAI)、PbI₂溶于有機溶劑中，震蕩溶解均勻，經過濾后即可得到含Pb⁺前驅體溶液；所述有機溶劑為N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基亞砜(DMSO)或二者的混合；

2)(PA)₂(FA)_n-1Pb_nI_3n+1低維鈣鈦礦薄膜的制備

將所得鈣鈦礦薄膜放置到常溫后旋涂FAI前驅體溶液，退火處理，得到(PA)₂(FA)_n-1Pb_nI_3n+1低維鈣鈦礦薄膜，其中n為無機層層數，n＝1、2、3、4或5；

所述碘甲脒(FAI)前驅體溶液按以下方式制備而來：

將FAI與異丙醇(IPA)混合，震蕩溶解均勻，即可得到FAI前驅體溶液。

2.如權利要求1所述低維鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于所述襯底為FTO、ITO、FTO/TiO₂或FTO/SnO₂。

3.如權利要求1所述低維鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于步驟1中PAI與PbI₂的摩爾比為2:n，其中n＝1、2、3、4或5。

4.如權利要求1所述低維鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于所述含Pb⁺前驅體溶液中Pb⁺濃度為0.8～1mol/L。

5.如權利要求1所述低維鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于所述FAI前驅體溶液中FAI濃度為10～100mg/ml。

6.如權利要求1所述低維鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于步驟1旋涂工藝參數為：取20～40μL含Pb⁺前驅體溶液涂覆在襯底表面，旋涂速率為2000～5000rpm，旋涂時間為20～60s。

7.如權利要求1所述低維鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于步驟2旋涂工藝參數為：取60～150μL FAI前驅體溶液在旋涂開始5～10s后快速涂覆在襯底表面，旋涂速率為2000～5000rpm，旋涂時間為20～60s。

8.如權利要求1所述低維鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于所述退火處理溫度為0～150℃，退火時間為10～30min。