[發(fā)明專利]硅片少子壽命的測試方法及裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010191560.5 | 申請日： | 2020-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN111398774B | 公開（公告）日： | 2022-02-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張翔;馮舉 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安奕斯偉材料科技有限公司;西安奕斯偉硅片技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/265 | 分類號： | G01R31/265;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人： | 許靜;張博 |
| 地址： | 710000 陜西省西安市*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硅片 少子 壽命 測試 方法 裝置 | ||
1.一種硅片少子壽命的測試裝置，其特征在于，包括：
激光發(fā)生器，用于發(fā)射激光；
微波探針，用于發(fā)射微波；
控制單元，用于根據(jù)待測試硅片的外延層厚度計算出角度α，并根據(jù)所述角度α調(diào)整所述硅片的位置、所述微波探針發(fā)射微波的角度以及所述激光發(fā)生器發(fā)射激光的角度，使得所述硅片與水平面之間的夾角為α，所述微波探針發(fā)射微波的方向與所述硅片垂直，所述激光發(fā)生器發(fā)射激光的方向與水平面垂直；
所述控制單元具體用于根據(jù)以下公式計算所述角度α：
α＝arccos(d/s)；
其中，s為激光的入射深度，d為待測試硅片的外延層厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片少子壽命的測試裝置，其特征在于，
所述激光發(fā)生器發(fā)射的激光為波長904nm的紅外光，入射深度為30μm。
3.一種硅片少子壽命的測試方法，其特征在于，包括：
根據(jù)待測試硅片的外延層厚度計算出角度α；
根據(jù)角度α調(diào)整硅片的位置使得所述硅片與水平面之間的夾角為α；
根據(jù)角度α調(diào)整微波探針發(fā)射微波的角度，使得所述微波探針發(fā)射微波的方向與所述硅片垂直；
根據(jù)角度α調(diào)整激光發(fā)生器發(fā)射激光的角度，使得所述激光發(fā)生器發(fā)射激光的方向與水平面垂直；
所述根據(jù)待測試硅片的外延層厚度計算出角度α包括：
根據(jù)以下公式計算所述角度α：
α＝arccos(d/s)；
其中，s為激光的入射深度，d為待測試硅片的外延層厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅片少子壽命的測試方法，其特征在于，
所述激光發(fā)生器發(fā)射的激光為波長904nm的紅外光，入射深度為30μm。
5.一種硅片少子壽命的測試設(shè)備，其特征在于，所述測試設(shè)備包括處理器、存儲器以及存儲于所述存儲器上并在所述處理器上運行的計算機程序，所述處理器執(zhí)行所述計算機程序時實現(xiàn)如權(quán)利要求3或4所述的硅片少子壽命的測試方法的步驟。
6.一種計算機可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，所述計算機可讀存儲介質(zhì)上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如權(quán)利要求3或4所述的硅片少子壽命的測試方法的步驟。
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