[發明專利]傳感器組件、攝像頭模組以及攝像裝置在審
| 申請號: | 202010191485.2 | 申請日: | 2020-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN113497066A | 公開(公告)日: | 2021-10-12 |
| 發明(設計)人: | 羅科 | 申請(專利權)人: | 南昌歐菲光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/225 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永強 |
| 地址: | 330013 江西省南昌市南*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 傳感器 組件 攝像頭 模組 以及 攝像 裝置 | ||
1.一種傳感器組件,其特征在于,包括基板和傳感器,所述傳感器設置于所述基板的一板面,所述傳感器的輪廓線包括沿著第一方向延伸的第一邊界,所述傳感器上且在靠近所述第一邊界的位置設有多個第一傳感器焊盤,所述基板上且位于所述傳感器的外圍對應所述多個第一傳感器焊盤設置有多個第一基板焊盤,所述多個第一基板焊盤沿著所述第一方向呈單排排布,每一個所述第一傳感器焊盤與對應的所述第一基板焊盤之間通過第一金屬導線電性連接,且所述第一金屬導線為沿著從所述第一基板焊盤至所述第一傳感器焊盤的方向打線形成。
2.如權利要求1所述的傳感器組件,其特征在于,每一個所述第一基板焊盤與所述第一邊界之間在與所述第一方向垂直的方向上的間距為0-0.105mm。
3.如權利要求1所述的傳感器組件,其特征在于,所述多個第一傳感器焊盤沿著所述第一方向間隔布置,其中:
每一個所述第一傳感器焊盤與對應的所述第一基板焊盤在與所述第一方向垂直的方向上相對;或者,
所述多個第一傳感器焊盤中的至少一個與對應的所述第一基板焊盤在與所述第一方向垂直的方向上呈錯開設置。
4.如權利要求1所述的傳感器組件,其特征在于,所述多個第一基板焊盤在所述基板上的布置區域的邊界線在所述第一方向上未超出所述第一邊界。
5.如權利要求1所述的傳感器組件,其特征在于,所述傳感器的輪廓線還包括與所述第一邊界間隔的且沿著第二方向延伸的第二邊界,所述傳感器上且在靠近所述第二邊界的位置設有多個第二傳感器焊盤,所述基板上且位于所述傳感器的外圍對應所述多個第二傳感器焊盤設置有多個第二基板焊盤,所述多個第二基板焊盤沿著所述第二方向呈單排排布,每一個所述第二傳感器焊盤與對應的所述第二基板焊盤之間通過第二金屬導線電性連接,且所述第二金屬導線為沿著從所述第二基板焊盤至所述第二傳感器焊盤的方向打線形成。
6.如權利要求5所述的傳感器組件,其特征在于,所述多個第二基板焊盤在所述基板上的布置區域的邊界線在所述第二方向上未超出所述第二邊界;和/或,每一個所述第三基板焊盤與所述第三邊界之間在與所述第三方向垂直的方向上的間距為0-0.105mm。
7.如權利要求1-6任一項所述的傳感器組件,其特征在于,所述傳感器的輪廓線還包括與所述第一邊界相交的且沿著第三方向延伸的第三邊界,所述傳感器上且在靠近所述第三邊界的位置設有多個第三傳感器焊盤,所述基板上且位于所述傳感器的外圍對應所述多個第三傳感器焊盤設置有多個第三基板焊盤,所述多個第三基板焊盤沿著所述第三方向呈單排排布,每一個所述第三傳感器焊盤與對應的所述第三基板焊盤之間通過第三金屬導線電性連接,且所述第三金屬導線為沿著從所述第三基板焊盤至所述第三傳感器焊盤的方向打線形成。
8.如權利要求7所述的傳感器組件,其特征在于,所述多個第三基板焊盤在所述基板上的布置區域的邊界線在所述第三方向上未超出所述第三邊界;和/或,每一個所述第三基板焊盤與所述第三邊界之間在與所述第三方向垂直的方向上的間距為0-0.105mm。
9.如權利要求7所述的傳感器組件,其特征在于,所述傳感器的輪廓線還包括與所述第一邊界遠離所述第三邊界的一端相交的且沿著第四方向延伸的第四邊界,所述傳感器上且在靠近所述第四邊界的位置設有多個第四傳感器焊盤,所述基板上且位于所述傳感器的外圍對應所述多個第四傳感器焊盤設置有多個第四基板焊盤,所述多個第四基板焊盤沿著所述第四方向呈單排排布,每一個所述第四傳感器焊盤與對應的所述第四基板焊盤之間通過第四金屬導線電性連接,且所述第四金屬導線為沿著從所述第四基板焊盤至所述第四傳感器焊盤的方向打線形成。
10.如權利要求9所述的傳感器組件,其特征在于,所述多個第四基板焊盤在所述基板上的布置區域的邊界線在所述第四方向上未超出所述第四邊界;和/或,每一個所述第四基板焊盤與所述第四邊界之間在與所述第四方向垂直的方向上的間距為0-0.105mm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





