[發明專利]陣列基板

在審

• 申請號: 202010191364.8
• 申請日: 2020-03-18
• 公開（公告）號: CN111370427A
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 李松杉
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 刁文魁

1.一種陣列基板，其特征在于，包括:

基板；

緩沖層，設于所述基板的一側；

介電層，設于所述緩沖層遠離所述基板的一側，所述介電層中設有橫向設置的開關薄膜晶體管以及驅動薄膜晶體管；

平坦化層，設于所述介電層遠離所述緩沖層的一側；

其中，在所述緩沖層中靠近所述介電層的一側設有晶核，所述晶核對應所述開關薄膜晶體管以及所述驅動薄膜晶體管的主動層的溝道。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述介電層包括：

第一絕緣層，設于所述緩沖層遠離所述基板的一側；

第二絕緣層，設于所述第一絕緣層遠離所述緩沖層的一側；

第三絕緣層，設于所述第二絕緣層遠離所述第一絕緣層的一側；

鈍化層，設于所述第二絕緣層遠離所述第一絕緣層的一側。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，

所述開關薄膜晶體管以及所述驅動薄膜晶體管的結構皆包括：

所述主動層，設于所述緩沖層上且被所述第一絕緣層包覆；

柵極，設于所述第一絕緣層上且被所述第二絕緣層包覆，所述柵極對應所述有源層；

源漏電極層，設于所述第二絕緣層上且被所述鈍化層包覆，所述源漏電極層包括源極以及漏級，所述源極以及所述漏級分別連接所述主動層。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，

所述驅動薄膜晶體管的主動層還包括一延伸部，設于所述開關薄膜晶體管以及所述驅動薄膜晶體管之間。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述晶核的材料為非晶硅；和/或，

所述主動層的材料為多晶硅。

6.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述溝道的寬度等于所述晶核的寬度。

7.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，

所述第二絕緣層具有一第一通孔，所述第一通孔貫穿所述第一絕緣層以及部分所述第二絕緣層直至所述主動層表面；

所述源漏電極層通過所述第一通孔連接所述主動層。

8.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，

所述柵極的材料包括金屬鉬。

9.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，還包括：

第一電極，設于所述平坦化層遠離所述介電層的一側，連接所述驅動薄膜晶體管；

像素限定層，設于所述平坦化層以及所述第一電極上，所述像素限定層具有一開槽，所述開槽向下凹陷至所述第一電極表面。

10.根據權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，

所述平坦化層具有一第二通孔，所述第二通孔貫穿所述平坦化層、部分所述鈍化層直至所述源漏電極層的表面，所述第一電極通過所述第二通孔連接所述源漏電極層的源極。