[發明專利]恒定跨導偏置電路

有效

• 申請號: 202010191331.3
• 申請日: 2020-03-18
• 公開（公告）號: CN111416587B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 趙慶中;劉悅
• 申請（專利權）人: 上海聯影微電子科技有限公司
• 主分類號: H03F3/45
• 分類號: H03F3/45
• 代理公司: 北京華進京聯知識產權代理有限公司 11606
• 代理人: 顏瀟

本申請提供了一種恒定跨導偏置電路，包括：電流產生模組、電流鏡電路、電壓產生模組、運放電路和恒定電流源。電流產生模組用于依據恒定電壓產生第一電流。電流鏡電路的第一端與電流產生模組電連接。電流鏡電路的第二端用于電連接電源。電壓產生模組的第一端與電流鏡電路的第三端電連接。運放電路的第一端與電源電連接。運放電路包括第一MOS管和第二MOS管。第一MOS管的第一端與電壓產生模組的第一端電連接。第二MOS管的第一端與電壓產生模組的第二端電連接。第二MOS管的第二端與第一MOS管的第二端共接。恒定電流源的第一端與第二MOS管的第三端電連接。恒定電流源的第二端和運放電路的第二端共接地。

技術領域

本申請涉及偏置電路技術領域，特別是涉及恒定跨導偏置電路。

背景技術

恒定的跨導偏置電路廣泛應用于集成電路設計，如射頻前端、光通信前端、gm-c濾波器等電路系統中。而傳統的跨導偏置電路如模擬CMOS集成電路設計(畢查德.拉扎維著)一書中提出的，其跨導是與電阻相關的。而電阻的阻值雖然與電壓無關，但是電阻的阻值是隨溫度和工藝變化的，所以CMOS的跨導還是會隨著溫度和工藝變化。

也就是說，工藝、溫度、電壓的變化都會影響現有跨導偏置電路內MOS管的跨導，導致其跨導變化過大。

發明內容

基于此，有必要針對現有跨導偏置電路因受工藝、溫度、電壓的影響，導致其跨導變化過大的問題，提供一種恒定跨導偏置電路。

一種恒定跨導偏置電路，包括：

電流產生模組，用于依據恒定電壓產生第一電流；

電流鏡電路，所述電流鏡電路的第一端與所述電流產生模組電連接，所述電流鏡電路的第二端用于電連接電源，用于基于所述第一電流生成并輸出第二電流；

電壓產生模組，所述電壓產生模組的第一端與所述電流鏡電路的第三端電連接，用于根據所述第二電流產生共模電壓；

運放電路，所述運放電路的第一端與所述電源電連接，所述運放電路包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的第一端與所述電壓產生模組的第一端電連接，所述第二MOS管的第一端與所述電壓產生模組的第二端電連接，所述第二MOS管的第二端與所述第一MOS管的第二端共接；

恒定電流源，所述恒定電流源的第一端與所述第二MOS管的第三端電連接，所述恒定電流源的第二端和所述運放電路的第二端共接地；

所述電壓產生模組用于將所述共模電壓輸入至所述第一MOS管的第一端和所述第二MOS管的第一端。

在其中一個實施例中，所述運放電路還包括：

第三MOS管，所述第三MOS管的第一端與所述電源電連接，所述第三MOS管的第二端和第三端與所述第一MOS管的第三端共接；

第四MOS管，所述第四MOS管的第一端與所述電源電連接，所述第四MOS管的第二端與所述第三MOS管的第二端電連接；

第五MOS管，所述第五MOS管的第一端與所述電源電連接，所述第五MOS管的第二端與所述第四MOS管的第三端和所述第二MOS管的第三端共接；

第六MOS管，所述第六MOS管的第一端和第二端均與所述第五MOS管的第三端共接；以及

第七MOS管，所述第七MOS管的第一端與所述第二MOS管的第二端和所述第一MOS管的第二端共接，所述第七MOS管的第二端與所述第六MOS管的第一端電連接，所述第七MOS管的第三端和所述第六MOS管的第三端共接地。

在其中一個實施例中，所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第六MOS管和所述第七MOS管均為NMOS管，所述第三MOS管、所述第四MOS管和所述第五MOS管均為PMOS管。

在其中一個實施例中，所述運放電路包括：