[發明專利]一種基于元素標記激光誘導擊穿光譜的細菌快速特異性定量分析方法

有效

• 申請號: 202010191036.8
• 申請日: 2020-03-18
• 公開（公告）號: CN111912830B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發明（設計）人: 段憶翔;楊恩來;林慶宇
• 申請（專利權）人: 四川大學;段憶翔
• 主分類號: G01N21/71
• 分類號: G01N21/71;G01N33/569
• 代理公司: 成都其高專利代理事務所(特殊普通合伙) 51244
• 代理人: 梁周霆;賀立中

1.一種基于元素標記激光誘導擊穿光譜的細菌快速特異性定量分析方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟1：使用金屬輔助化學刻蝕法制備硅納米線SiNWs，并將銀包金核殼結構納米粒子Au@AgNPs修飾到硅納米線SiNWs上，制備得到捕獲細菌用的基底SiNWs-Au@Ag；

步驟2：用包含適配體和聚T序列的DNA Apt-T₄₀ 組裝銅納米粒子，然后通過適配體與細菌之間的特異性識別作用將銅納米粒子連接到細菌上，制備經元素標記的細菌；

步驟3：用步驟1得到的捕獲細菌用的基底SiNWs-Au@Ag來富集步驟2得到的經元素標記的細菌；采用LIBS方法對富集后的細菌進行檢測分析。

2.一種如權利要求1所述的基于元素標記激光誘導擊穿光譜的細菌快速特異性定量分析方法，其特征在于：所述的步驟（1）中硅納米線SiNWs的制備方法為：

將硅片進行清洗，然后浸泡在濃H₂SO₄和H₂O₂的混合溶液中，加熱后保溫一段時間，取出洗凈后浸泡在HF溶液中使其表面生成Si-H鍵，取出吹干后與HF和硝酸銀的混合液反應，取出后浸泡在HF與H₂O₂的混合液中避光刻蝕，然后浸泡在稀硝酸中溶解AgNPs，清洗后干燥。

3.一種如權利要求2所述的基于元素標記激光誘導擊穿光譜的細菌快速特異性定量分析方法，其特征在于：所述的步驟（1）中基底SiNWs-Au@Ag的制備方法如下：

將制備得到的硅納米線SiNWs放入濃H₂SO₄和H₂O₂的混合溶液中加熱，使表面羥基化成為SiNWs-OH；然后將SiNWs-OH放入APTMS溶液中，使表面氨基化；最后放入Au@Ag膠體中浸泡，得到所述的基底SiNWs-Au@Ag。

4.一種如權利要求3所述的基于元素標記激光誘導擊穿光譜的細菌快速特異性定量分析方法，其特征在于：所述的將硅納米線SiNWs放入濃H₂SO₄和H₂O₂的混合溶液中加熱的溫度為90℃，加熱時間為30min；所述的將SiNWs-OH放置在APTMS溶液中的時間為1小時，所述的APTMS溶液濃度為1%，由乙醇和乙酸以5:2的比例稀釋而成；所述的將氨基化的硅片放入Au@Ag膠體中浸泡的時間為12個小時。

5.一種如權利要求2所述的基于元素標記激光誘導擊穿光譜的細菌快速特異性定量分析方法，其特征在于：所述的清洗硅片的方式為將硅片先后在乙醇，丙酮和超純水中進行超聲清洗；所述將清洗后的硅片浸泡在濃H₂SO₄和H₂O₂的混合溶液中加熱的溫度為加熱至90℃；所述的保溫時間為加熱至90℃后保持30分鐘；所述的浸泡在HF溶液中使其表面生成Si-H鍵的時間為3分鐘，所述的HF溶液濃度為5%；所述的與HF和硝酸銀的混合液反應的時間為1分鐘；所述的浸泡在HF與H₂O₂的混合液中避光刻蝕的時間為1小時。

6.一種如權利要求5所述的基于元素標記激光誘導擊穿光譜的細菌快速特異性定量分析方法，其特征在于：所述的硅片在丙酮和水中超聲清洗的時間為10min，超聲頻率為40KHz；所述濃H₂SO₄和H₂O₂混合溶液的比例為3:1，濃H₂SO₄的濃度為98%，H₂O₂的濃度為30%；所述的稀硝酸為30%稀硝酸；所述的硝酸銀濃度為0.1M,體積為8μL。