[發(fā)明專利]全動態(tài)范圍NS SAR ADC中的二階失配誤差整形技術(shù)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010190251.6 | 申請日： | 2020-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN111371456B | 公開（公告）日： | 2022-11-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 吳建輝;張力振;馮金宣;魏曉彤;李紅 | 申請（專利權(quán)）人： | 東南大學(xué) |
| 主分類號： | H03M1/06 | 分類號： | H03M1/06;H03M1/10 |
| 代理公司： | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200 | 代理人： | 劉莎 |
| 地址： | 210096*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 動態(tài) 范圍 ns sar adc 中的 失配 誤差 整形 技術(shù) | ||
1.一種全動態(tài)范圍NS SAR ADC中的二階失配誤差整形技術(shù)，其特征在于，在SAR ADC的工作環(huán)路中增加一個誤差采樣電容，并在工作環(huán)路中的比較器上增加一個輸入對，所述失配誤差整形技術(shù)具有以下步驟：
步驟1，CDAC電容陣列頂極板連接共模電壓，同時將第n-1周期的轉(zhuǎn)換結(jié)果反饋到CDAC電容陣列底極板，如果第n-1周期的轉(zhuǎn)換結(jié)果等于1，電容底極板連接到負(fù)參考電壓，否則連接到正參考電壓；此外，誤差采樣電容保持復(fù)位操作；
步驟2，CDAC電容陣列頂極板和共模電壓斷開，將電容陣列底極板電壓切換到和步驟1時相反的參考電壓，使得第一誤差2E(n-1)注入到電容陣列頂極板；同時，誤差采樣電容和電容陣列頂極板進行電荷共享，從而將2E(n-1)保存在誤差采樣電容上；其中，2E(n-1)表示兩倍的LSB電容第n-1周期的誤差；
步驟3，CDAC電容陣列頂極板連接輸入信號，同時將第n-2周期的轉(zhuǎn)換結(jié)果反饋到CDAC電容底極板，如果轉(zhuǎn)換結(jié)果等于1，電容底極板連接到正參考電壓；反之則連接到負(fù)參考電壓；
步驟4，CDAC電容陣列頂極板和輸入信號斷開，將電容陣列底極板電壓全部復(fù)位到共模電平，使得第二誤差-E(n-2)注入到電容陣列頂極板；其中，-E(n-2)表示負(fù)的LSB電容第n-2周期的誤差；
步驟5，將誤差采樣電容連接到比較器新增的輸入對，從而將第一誤差2E(n-1)注入信號通路中；第一誤差2E(n-1)和第二誤差-E(n-2)通過比較器進行累加組合成為2E(n-1)-E(n-2)，然后進行第n個周期的SAR轉(zhuǎn)換，將輸入的模擬信號量化成為相應(yīng)的數(shù)字碼。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種全動態(tài)范圍NS SAR ADC中的二階失配誤差整形技術(shù)，其特征在于，若誤差采樣電容是CDAC電容陣列的β倍，則增益誤差表示為1/(1+β)，比較器新增的輸入對的大小設(shè)置為原來的1+β倍。
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