[發明專利]隧道勢壘層及其制造方法、磁阻效應元件和絕緣層

在審

• 申請號: 202010190069.0
• 申請日: 2020-03-18
• 公開（公告）號: CN111725393A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 市川心人;中田勝之
• 申請（專利權）人: TDK株式會社
• 主分類號: H01L43/08
• 分類號: H01L43/08;H01L43/10
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦;謝弘

1.一種隧道勢壘層，其特征在于：

包含非磁性氧化物，

晶體結構既包括規則尖晶石結構也包括不規則尖晶石結構。

2.如權利要求1所述的隧道勢壘層，其特征在于：

所述不規則尖晶石結構的晶格常數為所述規則尖晶石結構的晶格常數的大致一半。

3.如權利要求1所述的隧道勢壘層，其特征在于：

在使用了透射型電子顯微鏡的納米束電子衍射中，

包含顯示第一電子射線圖案的第一部分、顯示第二電子射線圖案的第二部分和顯示近似第一電子射線圖案的第三部分中的至少兩個。

4.如權利要求1所述的隧道勢壘層，其特征在于：

在使用了透射型電子顯微鏡的納米束電子衍射中，

僅由顯示近似第一電子射線圖案的第三部分構成。

5.如權利要求1所述的隧道勢壘層，其特征在于：

所述規則尖晶石結構的比例為10％以上且90％以下。

6.如權利要求1所述的隧道勢壘層，其特征在于：

所述規則尖晶石結構的比例為20％以上且80％以下。

7.如權利要求1所述的隧道勢壘層，其特征在于：

所述非磁性氧化物包含Mg、以及選自Al和Ga中的至少一種。

8.如權利要求1所述的隧道勢壘層，其特征在于：

具有包含Mg和Ga的氧化物、以及包含Mg和Al的氧化物，

所述包含Mg和Ga的氧化物為所述規則尖晶石結構，

所述包含Mg和Al的氧化物為所述不規則尖晶石結構。

9.如權利要求1的隧道勢壘層，其特征在于：

晶體的取向方向為(001)取向。

10.一種磁阻效應元件，其特征在于，包括：

權利要求1～9中任一項所述的隧道勢壘層，和

在厚度方向上夾著所述隧道勢壘層的第一鐵磁性層和第二鐵磁性層。

11.如權利要求10所述的磁阻效應元件，其特征在于：

所述第一鐵磁性層和所述第二鐵磁性層中的至少一個包含Fe元素。

12.一種隧道勢壘層的制造方法，其特征在于，包含：

供給對形成規則尖晶石結構充分的氧的第一條件，和

氧的供給量少于所述第一條件的第二條件。

13.一種絕緣層，其特征在于：

包含非磁性氧化物，

晶體結構既包括規則尖晶石結構也包括不規則尖晶石結構。