[發明專利]電路裝置、振蕩器、電子設備以及移動體

有效

• 申請號: 202010190055.9
• 申請日: 2020-03-18
• 公開（公告）號: CN111726083B
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發明（設計）人: 板坂洋佑
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H03B5/32
• 分類號: H03B5/32;H03B5/04
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 鄧毅;黃綸偉

提供電路裝置、振蕩器、電子設備以及移動體，能夠實現可變電容電路的電壓電容特性中的線性特性的改善，并且能夠實現電路的小規模化。電路裝置包含使振子進行振蕩的振蕩電路，振蕩電路包含可變電容電路和基準電壓供給電路，該可變電容電路具有由第1晶體管、第2晶體管構成的第1可變電容元件和第2可變電容元件。向第1晶體管的第1柵極供給第1基準電壓，向第1晶體管的第1雜質區域供給電容控制電壓，向第2晶體管的第2柵極供給第2基準電壓，向第2晶體管的第2雜質區域供給電容控制電壓，向第1晶體管和第2晶體管的第1公共雜質區域供給電容控制電壓。

技術領域

本發明涉及電路裝置、振蕩器、電子設備以及移動體等。

背景技術

在使石英振子等振子進行振蕩的電路裝置中，設置有用于調整振蕩頻率的可變電容電路。例如，在專利文獻1中公開了設置有多個MOS型可變電容元件的振蕩電路。在專利文獻1的振蕩電路中，實現了如下的可變電容電路：對閾值電壓不同的多個MOS型可變電容元件的一個端子施加多個控制電壓，對另一個端子施加基準電壓，從而能夠確保頻率變化相對于控制電壓變化的直線性。

專利文獻1：日本特開2015-104074號公報

在這樣的可變電容電路中，使用晶體管來實現可變電容元件，但當振蕩電路的負載電容由于晶體管的寄生電容而變大時，存在頻率可變靈敏度下降的問題。

發明內容

本發明的一個方式涉及電路裝置，該電路裝置包含使振子進行振蕩的振蕩電路，所述振蕩電路包含：可變電容電路，其具有由第1晶體管構成的第1可變電容元件和由第2晶體管構成的第2可變電容元件，對所述振蕩電路的負載電容進行調整；以及基準電壓供給電路，其向所述可變電容電路供給第1基準電壓和第2基準電壓，向作為所述第1晶體管的柵極的第1柵極供給所述第1基準電壓，向作為所述第1晶體管的一個雜質區域的第1雜質區域供給電容控制電壓，向作為所述第2晶體管的柵極的第2柵極供給所述第2基準電壓，向作為所述第2晶體管的一個雜質區域的第2雜質區域供給所述電容控制電壓，向作為所述第1晶體管和所述第2晶體管的另一個雜質區域的第1公共雜質區域供給所述電容控制電壓。

附圖說明

圖1是本實施方式的電路裝置的結構例。

圖2是本實施方式的電路裝置的詳細結構例。

圖3是本實施方式的可變電容電路的結構例。

圖4是可變電容電路的電壓電容特性的例子。

圖5是與負載電容大小對應的頻率可變靈敏度變化的說明圖。

圖6是本實施方式的可變電容電路的晶體管的結構例。

圖7是比較例的可變電容電路的晶體管的結構例。

圖8是本實施方式的可變電容電路的配置結構例。

圖9是本實施方式的可變電容電路的配置結構例。

圖10是比較例的可變電容電路的配置結構例。

圖11是比較例的可變電容電路的配置結構例。

圖12是設置有溝道寬度不同的多個晶體管的可變電容電路的第1配置結構例。

圖13是可變電容電路的電壓電容特性的例子。

圖14是設置有溝道寬度不同的多個晶體管的可變電容電路的第2配置結構例。

圖15是設置有溝道寬度不同的多個晶體管的可變電容電路的第3配置結構例。

圖16是設置有溝道長度不同的多個晶體管的可變電容電路的配置結構例。

圖17是使用了P型晶體管的可變電容電路的結構例。