[發明專利]一種采用多基島引線框架的芯片封裝結構

在審

• 申請號: 202010189763.0
• 申請日: 2020-03-18
• 公開（公告）號: CN111261626A
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發明（設計）人: 李陽德;周占榮;徐鵬
• 申請（專利權）人: 上海晶豐明源半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L25/07;H01L23/495
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

1.一種采用多基島引線框架的芯片封裝結構，其特征在于，包括：

多基島引線框架，包括第一類引腳以及相互之間電氣隔離的第一基島與第二基島；所述第一類引腳包括第一交流電輸入引腳、第二交流電輸入引腳、總線引腳以及接地引腳；

一顆雙P襯底二極管，設置于所述第一基島上，所述雙P襯底二極管包括第一陰極、第二陰極以及共用的陽極，其陽極與所述第一基島電連接、并通過所述第一基島與所述接地引腳電連接，其第一陰極通過金屬引線與所述第一交流電輸入引腳電連接，其第二陰極通過金屬引線與所述第二交流電輸入引腳電連接；

一顆雙N襯底二極管，設置于所述第二基島上，所述雙N襯底二極管包括第一陽極、第二陽極以及共用的陰極，其陰極與所述第二基島電連接、并通過所述第二基島與所述總線引腳電連接，其第一陽極通過金屬引線與所述第一交流電輸入引腳電連接，其第二陽極通過金屬引線與所述雙P襯底二極管的第二陰極電連接、并通過所述第二陰極與所述第二交流電輸入引腳電連接。

2.如權利要求1所述的采用多基島引線框架的芯片封裝結構，其特征在于，所述雙P襯底二極管與所述雙N襯底二極管均采用粘結劑分別粘貼于相應的基島上。

3.如權利要求1所述的采用多基島引線框架的芯片封裝結構，其特征在于，所述接地引腳與所述第一基島直接連接，所述總線引腳與所述第二基島直接連接。

4.如權利要求1所述的采用多基島引線框架的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一基島為打凹結構，且所述第一基島打凹后作為所述接地引腳。

5.如權利要求1所述的采用多基島引線框架的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一陰極與所述第一陽極相對設置，并設置于相應基島的靠近所述第一交流電輸入引腳的一側。

6.如權利要求1所述的采用多基島引線框架的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一交流電輸入引腳與所述第二交流電輸入引腳位于所述第一基島的遠離所述第二基島的同一側。

7.如權利要求1所述的采用多基島引線框架的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一交流電輸入引腳與所述第二交流電輸入引腳相對設置，且其中之一位于所述第二基島電連接的引腳的所在側。

8.如權利要求1所述的采用多基島引線框架的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一基島的面積大于或等于所述第二基島的面積，且所述第一基島兩側分別與相應的連筋相連。

9.如權利要求1所述的采用多基島引線框架的芯片封裝結構，其特征在于，所述芯片封裝結構還包括一主控芯片，所述主控芯片設置于所述第一基島上。

10.如權利要求9所述的采用多基島引線框架的芯片封裝結構，其特征在于，所述主控芯片、所述雙N襯底二極管、所述雙P襯底二極管的至少其中之一與所述芯片封裝結構的一中軸線具有一夾角。

11.如權利要求1或9所述的采用多基島引線框架的芯片封裝結構，其特征在于，所述芯片封裝結構還包括設置于所述第二基島上的一N襯底續流元器件。

12.如權利要求1或9所述的采用多基島引線框架的芯片封裝結構，其特征在于，所述多基島引線框架上還設有一第三基島，所述芯片封裝結構還包括設置于所述第三基島上的一P襯底續流元器件和/或一開關元器件。

13.如權利要求12所述的采用多基島引線框架的芯片封裝結構，其特征在于，所述第三基島與一連筋相連。