[發明專利]多圈傳感器布置

在審

• 申請號: 202010189350.2
• 申請日: 2020-03-18
• 公開（公告）號: CN111707298A
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: J·施密特;P·J·湯吉;C·麥金托什;W·王;M·杜特
• 申請（專利權）人: 亞德諾半導體國際無限責任公司
• 主分類號: G01D5/14
• 分類號: G01D5/14;G01R33/09;G06M1/10
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 張丹

1.磁阻傳感器，包括：

磁條，包括彼此串聯電耦合的多個磁阻元件，所述磁條具有螺旋形布局，并且所述磁條的多個磁阻元件中的每一個具有至少兩個與不同電阻相關聯的狀態；和

具有至少一個開關元件的感測電路，所述感測電路電耦合至所述磁條，所述感測電路被配置為確定所述多個磁阻元件中的所選磁阻元件的狀態，

其中所述感測電路被配置為提供單個讀數。

2.權利要求1所述的磁阻傳感器，是巨磁阻(GMR)傳感器、隧道磁阻(TMR)傳感器或各向異性磁阻(AMR)傳感器之一。

3.權利要求1所述的磁阻傳感器，還包括參考元件，該參考元件的元件寬度通常類似于所述磁條的條寬，使得由外部磁場引起的參考元件中的寄生效應通常類似于所述多個磁阻元件中元件的寄生效應。

4.權利要求3所述的磁阻傳感器，其中所述參考元件是參考電阻器。

5.權利要求3所述的巨磁阻傳感器，其中所述參考元件形成大體上圓形的螺旋形電阻器。

6.權利要求3所述的巨磁阻傳感器，其中所述參考元件包括水平參考電阻器和垂直參考電阻器。

7.巨磁阻(GMR)傳感器，包括：

包括彼此串聯電耦合的多個磁阻元件的磁條，所述磁條具有螺旋形布局，并且所述磁條的多個磁阻元件中的每一個具有至少兩個與不同電阻相關聯的狀態；

構件，用于使用參考元件減少所述多個磁阻元件的磁阻元件中的寄生效應；和

具有至少一個開關元件的感測電路，所述感測電路電耦合至所述磁條，所述感測電路被配置為確定所述多個磁阻元件中的所選磁阻元件的狀態。

8.權利要求7所述的巨磁阻傳感器，其中所述用于減少寄生效應的構件包括比較器，該比較器被配置為確定所述多個磁阻元件的磁阻元件中的寄生效應和所述參考元件的寄生效應。

9.權利要求7所述的巨磁阻傳感器，其中所述參考元件包括通常類似于所述磁條的條寬的元件寬度，使得由外部磁場引起的所述參考元件中的寄生效應通常類似于所述多個磁阻元件的磁阻元件中的寄生效應。

10.巨磁阻(GMR)傳感器，包括：

包括彼此串聯電耦合的多個磁阻元件的磁條，所述磁條具有帶有條寬的螺旋形布局，并且所述磁條的多個磁阻元件中的每一個具有至少兩個與不同電阻相關聯的狀態；

與所述磁條分開的參考元件，所述參考元件具有通常類似于所述條寬的元件寬度，使得由外部磁場引起的所述參考元件中的寄生效應通常類似于所述多個磁阻元件的元件中的寄生效應；和

具有至少一個開關元件的感測電路，所述感測電路電耦合至所述磁條，所述感測電路被配置為使用所述參考元件中的寄生效應來確定所述多個磁阻元件中的所選磁阻元件的狀態。

11.權利要求10所述的巨磁阻傳感器，其中所述感測電路感測所選磁阻元件的電磁特性，并且所述感測電路利用所述參考元件中的寄生效應來調節感測到的電磁特性。

12.權利要求10所述的巨磁阻傳感器，其中所述多個磁阻元件和所述參考元件耦合到電連接的矩陣。

13.權利要求11所述的巨磁阻傳感器，其中所述矩陣至少是二乘二，并且包括電連接的行和電連接的列。

14.權利要求13所述的巨磁阻傳感器，其中所述參考元件位于由所述多個磁阻元件不占用的矩陣單元處。

15.權利要求10所述的巨磁阻傳感器，其中所述多個磁阻元件和所述參考元件中的每一個耦合到至少兩個開關元件，以選擇性地感測所述多個磁阻元件和所述參考元件中的所選一個的電磁特性。