[發明專利]一種用于制備自剝離金屬薄膜的自耗層制備方法

在審

• 申請號: 202010189159.8
• 申請日: 2020-03-17
• 公開（公告）號: CN111485231A
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 唐建成;韋朝龍;葉楠;趙玉超
• 申請（專利權）人: 南昌大學
• 主分類號: C23C18/32
• 分類號: C23C18/32;C23C18/38;C23C18/42;C23C18/16
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246
• 代理人: 袁紅梅

1.一種用于制備自剝離金屬薄膜的自耗層制備方法，其特征在于：具體方法如下：

將干凈平整的基板放于密閉容器內，通過超聲霧化器將含有甲殼素或其脫乙酰產物、無水乙醇以及1-烯丙基-3-甲基咪唑氯鹽的預處理液霧化后通入密閉容器中，在基板表面沉積形成一層在制備金屬薄膜時能夠發生降解的自耗層。

2.根據權利要求1所述的用于制備自剝離金屬薄膜的自耗層制備方法，其特征為：所述預處理液的配置方法為將甲殼素或其脫乙酰產物加入弱酸水溶液中，然后加入質量分數為1～5％的1-烯丙基-3-甲基咪唑氯鹽，通過超聲充分溶解；最后加入相同體積的無水乙醇，在室溫下靜置24～36小時后使用。

3.根據權利要求1所述的用于制備自剝離金屬薄膜的自耗層制備方法，其特征為：將所述預處理液放入超聲霧化器中，調節霧化量為0.5～2ml/min，將預處理液霧化沉積在基板表面，沉積時長為0.5～2分鐘，形成厚度為100nm～3μm的自耗層。

4.根據權利要求1所述的用于制備自剝離金屬薄膜的自耗層制備方法，其特征為：所述基板為剛性基板或柔性基板。

5.根據權利要求1所述的用于制備自剝離金屬薄膜的自耗層制備方法，其特征為：所述金屬薄膜厚度為500nm～5μm。