[發明專利]顯示面板及其制備方法

有效

• 申請號: 202010188760.5
• 申請日: 2020-03-17
• 公開（公告）號: CN111370311B
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 王建剛
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 刁文魁

1.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

柵極層制備步驟，在一基板的上表面依次制備出柵極層及柵極絕緣層；

有源層制備步驟，在所述柵極絕緣層的上表面制備出有源層；所述有源層制備步驟包括半導體層制備步驟以及第一圖案化處理步驟；

刻蝕阻擋層制備步驟，在所述有源層的上表面制備出刻蝕阻擋層；以及

源漏極層制備步驟，在所述刻蝕阻擋層的上表面制備出源漏極層；

所述第一圖案化處理步驟包括：

光刻膠涂布步驟，在所述半導體層的上表面涂布光刻膠；

第一曝光步驟，曝光及顯影處理所述光刻膠，形成光阻層；

第一刻蝕步驟，刻蝕處理所述半導體層，形成有源層；以及

第一灰化步驟，灰化處理所述光阻層；灰化處理后的光阻層設于所述有源層的邊緣處；

所述刻蝕阻擋層制備步驟包括：第一沉積步驟，在所述柵極絕緣層、所述有源層及所述光阻層的上表面沉積一層第一金屬材料；以及剝離步驟，剝離所述光阻層以及所述光阻層上方的第一金屬材料；

所述源漏極制備步驟包括：第二沉積步驟，在所述刻蝕阻擋層及所述有源層的上表面沉積一層第二金屬材料；第二圖案化處理步驟，采用刻蝕所述光阻層的光罩圖案化處理所述第二金屬材料，形成源漏極層。

2.如權利要求1所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，

在所述半導體層制備步驟中，在所述柵極絕緣層的上表面涂布一層半導體材料，形成半導體層。

3.如權利要求1所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，

在所述第一曝光步驟中，曝光及顯影處理后形成的所述光阻層與所述柵極層相對設置。

4.如權利要求1所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，

在所述第一刻蝕步驟中，采用濕刻方式，去除未被所述光阻層覆蓋處的半導體層，刻蝕后剩下的半導體層形成有源層。

5.如權利要求1所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，

所述第一金屬材料包括鈦、二氧化鈦、氧化鋁、氧化硅中的一種。

6.一種顯示面板，其特征在于，由如權利要求1～5中任一項所述的顯示面板的制備方法制備而成。